专利名称：一种SiC MOSFET模块的寿命预测方法及系统专利类型：发明专利 发明人：孟昭亮，胡梦阳，高勇，杨媛，张泽涛，李静宇，董志伟，吕亚茹，方正鹏
申请号：CN202010053163.1
申请日：20200117
公开号：CN111208404A
公开日：
20200529
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开一种SiC MOSFET模块的寿命预测方法，包括以下步骤：步骤1，采集NTC热敏电阻上电流为3mA～5mA时的电压信号；步骤2，将电压信号转换为频率信号；步骤3，将步骤2的频率信号转化为数字信号，即为SiC MOSFET模块的当前时刻温度T；步骤4，当前时刻温度T高于结温最高值T时，进行过温保护；步骤5，记录SiC MOSFET模块工作时结温波动的次数；步骤6，结温波动的次数达到预设的结温波动次数最高值N时，即已达预期使用寿命。本发明还公开一种SiC MOSFET模块的寿命的预测系统，本发明解决了现有技术中存在的SiC MOSFET模块的寿命预测不准确的问题。 申请人：西安工程大学
地址：710048 陕西省西安市碑林区金花南路19号
国籍：CN
代理机构：西安弘理专利事务所
代理人：张皎
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