发明人：胡晓明，仲志华，万星拱
申请号：CN200510111419.5申请日：20051213
公开号：CN1982907A
公开日：
20070620
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种测试晶体管寿命的方法，包括以下步骤：首先，对样品进行前期测试，并选择规格正常的晶体管；第二步，控制上述晶体管的环境温度在70－250K之间；第三步，设置晶体管漏端的偏置电压，进行热载流子劣化，并得到劣化时间；第四步，利用劣化时间计算晶体管在低温晶体管正常工作状态下的寿命；第五步，根据晶体管在低温正常工作状态下的寿命得出晶体管在常温正常工作状态下的寿命。本发明测试晶体管寿命的方法，在低温下进行劣化测试，计算晶体管在低温下的寿命从而得到晶体管在常温正常工作状态下的寿命，不仅可以比较精确的计算晶体管在常温正常工作状态下的寿命，还节约大量的时间，提高生产效率，降低生产成本。 申请人：上海华虹NEC电子有限公司，上海集成电路研发中心有限公司 地址：201206 上海市浦东新区川桥路1188号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
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