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芯片用光刻胶及光刻工艺[发明专利]

专利名称：芯片用光刻胶及光刻工艺专利类型：发明专利

发明人：王锦平，王杰

申请号：CN201811073003.2

申请日：20180914

公开号：CN110908240A

公开日：

20200324

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供一种芯片用光刻胶，包括试剂A和试剂B，其中试剂A组成为紫外负性光刻胶，以试剂A液体紫外负性光刻胶中的固体总重量为基准，各组分及其重量百分比为环化橡胶75～85％，交联剂15～25％，溶剂为二甲苯；试剂B为六甲基二硅烷胺或三氯苯酯硅烷或两者组合。本发明的优点和有益效果是：采用试剂A与试剂B配合使用，利用试剂B的六甲基二硅烷胺或三氯苯酯硅烷或两者组合来是硅片表面的亲水性变为疏水性，同时其本身的疏水基能够很好地与试剂A接合，使试剂A更好地粘附于硅片；利用上述试剂A与试剂B配合采用一定的工艺手段将之施加至硅片表面，能够有效提高产品的分辨率。

申请人：江西省长益光电有限公司

地址：337019 江西省萍乡市湘东区陶瓷产业基地

国籍：CN

代理机构：宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙)

代理人：董超君

本文发布于:2024-09-20 13:25:46，感谢您对本站的认可！

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