[19]
中华人民共和国国家知识产权局
[12]发明专利申请公开说明书
[11]公开号CN 1619322A [43]公开日2005年5月25日
[21]申请号200410091028.7[22]申请日2004.11.16
[21]申请号200410091028.7
[30]优先权
[32]2003.11.18 [33]JP [31]2003－388608
[71]申请人安捷伦科技公司
地址美国加利福尼亚州
[72]发明人木暮将之 三宅泰弘 [74]专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人刘国伟 林建成
[51]Int.CI 7G01R 31/00G01R 19/00
权利要求书 2 页 说明书 7 页 附图 6 页
[54]发明名称
[57]摘要
本发明目的在于高速、高精度地测定TFT阵列
测定方法加以解决，包括：流到阵列驱动电流线的
阵列驱动电流包含像素驱动电流成份与偏置电流成
份，且对于复数个像素的一部分或全部的测定像素，
包含阵列驱动电流测定步骤，其以特定时间间隔依
次测定各测定像素驱动时的上述阵列驱动电流，偏
置电流测定步骤，其于未实施阵列驱动电流测定步
骤时测定偏置电流成份，偏置电流计算步骤，其根
据复数个偏置电流的测定结果从而计算测定像素的
阵列电流测定时的偏置电流，以及像素驱动电流计
算步骤，其根据阵列电流测定步骤测定结果与偏置
电流计算步骤计算结果的差值从而计算复数个像素
的各像素的像素驱动电流。
200410091028.7权 利 要 求 书第1/2页
1.一种TFT阵列像素驱动电流测定方法，其特征为
具有配置为阵列状的复数个像素，以及
供给像素驱动电流到上述复数个像素的各像素的阵列驱动电流线，流到上述阵列驱动电流线的阵列驱动电流包含上述像素驱动电流成份与偏置电流成份，且
对于上述复数个像素的一部分或全部测定像素，包含阵列驱动电流测定步骤，其以特定时间间隔依次测定上述各测定像素驱动时的上述阵列驱动电流，
偏置电流测定步骤，其于未实施上述阵列驱动电流测定步骤时，测定上述偏置电流成份，
偏置电流计算步骤，其根据复数个上述偏置电流的测定结果，计算上述测定像素于阵列电流测定时的
上述偏置电流，以及
像素驱动电流计算步骤，其根据上述阵列电流测定步骤的测定结果与上述偏置电流计算步骤的计算结果的差值，计算上述复数个像素的各像素的上述像素驱动电流。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列像素驱动电流测定方法，其中上述所有测定像素均属于上述TFT阵列的特定列或行。
3.根据权利要求1或2所述的TFT阵列像素驱动电流测定方法，其中于实施上述阵列驱动电流测定步骤前实施上述偏置电流测定步骤。
4.根据权利要求1或2所述的TFT阵列像素驱动电流测定方法，其中于实施上述阵列驱动电流测定步骤后实施上述偏置电流测定步骤。
5.根据权利要求1所述的TFT阵列像素驱动电流测定方法，其中于上述偏置电流计算步骤中，上述偏置电流为根据于上述测定像素的阵列电流测定之前不久与之后不久所测定的偏置电流测定结果，通过进行线形内插从而计算得出。
200410091028.7权 利 要 求 书 第2/2页
6.一种TFT阵列驱动电流测定装置，其特征为具有
像素选择信号产生机构，其产生选择TFT阵列的特定像素的信号，驱动电流供给机构，其供给驱动电流到上述TFT阵列的复数个像素，测定机构，其于上述像素的非驱动时测定上述驱动电流，并且以特定时间间隔测定驱动复数个上述像素时的上述驱动电流，以及 数据处理机构，其根据复数个上述非驱动时的上述驱动电流与驱动上述像素时的上述驱动电流，计算出上述像素的驱动电流。
7.根据权利要求6所述的TFT阵列驱动电流测定装置，其中以上述测定机构测定驱动时的上述驱动电流的上述复数个像素配置为直线状。
200410091028.7说 明 书第1/7页
TFT阵列驱动电流测定方法及装置
技术领域
本发明涉及一种TFT阵列驱动电流测定方法及装置，尤其涉及一种驱动电流具有补偿成份的TFT阵列驱动电流测定方法及装置。
背景技术
对于用于平面电视、个人电脑用的监视器、移动电话的显示装置等的平面显示面板，要求可对应快速
变化的图像且能够再现鲜艳彩。根据此种要求，近年来使用有响应速度较快的薄膜晶体管(TFT)阵列与显示颜范围较宽的有机E L组件等自体发光组件的主动型显示面板引人瞩目。 所谓自体发光组件，是依据流向组件的电流量从而产生光线的发光组件。因此，利用有自体发光组件的显示面板中所使用的TFT阵列必须能够控制自体发光组件的驱动电流。故而，自体发光组件用TFT阵列检查，于先前的液晶面板用TFT阵列的测定中，不仅需要测定有无电流，还需要测定电流量或电荷量。
另外，由于以有机EL材料为主的自体发光材料价格昂贵，因而TFT阵列面板检查通常在封入自体发光材料之前进行，仅在通过检查的TFT阵列中封入自体发光材料。然而，于未封入有自体发光材料的状态下，由于不存在驱动的对象故而无驱动电流流过。因此，存有如下一种方法，其设置虚拟负荷电容取代自体发光材料，测定流到此负荷的电流从而检查能否进行电流控制。
图7中表示设有此种负荷电容的代表性自体发光材料用的TFT面板110。TFT面板110包含排列为阵列状的像素120，连接于各像素的闸极线112及数据线111，分别连接于闸极线112及数据线111的移位寄存器115、116，传送亮度信号的亮度信号线113，以及供给像素驱动电流到各像素的阵列驱
200410091028.7说 明 书 第2/7页动电流线114。另外，像素120包含连接有闸极线112及数据线111的选择晶体管121，连接于选择晶体管121的电容器122，于闸电极上连接有电容器122的像素驱动晶体管123，以及连接于像素驱动晶体管123与阵列驱动信号线114且成为自体发光材料替代品的负荷电容124。
此负荷电容124可在将自体发光材料封入T F T阵列面板时除去，也可原样保留。 继而，说明TFT面板110的运作概略。移位寄存器115、116分别施加电压到特定闸极线112及数据线111。此时，选择有像素120，其处于施加有电压的闸极线112及数据线111的交叉位置。继而，于亮度信号线113上施加电压，其对应于选择像素120的像素驱动电流。亮度信号通过像素选择电路104传送到所选的数据线111。于选择像素120中，电压施加到选择晶体管121的闸极从而成为ON状态(汲极-源极间成为导通状态)，电容器122依据从数据线111所供给的亮度信号而充电到特定电压。于是，像素驱动晶体管123成为ON状态，依据电容器122的电压，电流从阵列驱动电流线114流到负荷电容124。
在此种TFT阵列中，由于阵列驱动电流线114电性连接于所有像素，因此即使由于非选择像素中的漏电流或通过电容器120的残留电位而继续流到像素驱动晶体管123的残留电流等的影响，在未选择所有像素的状态下，阵列驱动电流线114中也不会为零，仍流过有偏置电流。并且，此偏置电流根据TFT阵列的状态而变动。因此，为测定TFT阵列像素驱动电流，则需要从已测定的阵列驱动电流中扣除补偿成份。
如此，至于自阵列驱动电流中去除补偿成份的测定方法，存在测定按照每像素驱动时及非驱动时的阵列驱动电流的方法(参照专利文献1)。图3中表示此方法的代表性序列。首先，选择TFT面板的测定像素(步骤200)。其次，充电电容器122，测定像素驱动时的阵列驱动电流(步骤201)。测定非驱动测定像素时，即电容器122处于放电状态时的阵列驱动电流(补偿成份)(步骤202)。并且，获取驱动时的阵列驱动
电流与非驱动时的阵列
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