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高压MOS全包封TO262封装结构、PCB板和整机[实用新型专利]

专利名称：高压MOS全包封TO262封装结构、PCB板和整机专利类型：实用新型专利

发明人：杨红伟，李大春，李鑫

申请号：CN202122449883.2

申请日：20211012

公开号：CN216435879U

公开日：

20220503

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本实用新型提供了一种高压MOS全包封TO262封装结构、PCB板和整机，所述全包封封装结构包括金属框架和塑封体，其中，所述金属框架包括从上到下依次连接的散热片区、载片区和引脚区；所述塑封体将散热片区和载片区全部包裹以避免散热片区和载片区与空气接触，且所述塑封体在散热片区的厚度低于在载片区的厚度以在塑封体上成有台阶；所述引脚区具有n组彼此连接的管脚和限位台阶，且所述限位台阶的宽度大于所述管脚的宽度。本实用新型具有能够避免金属框架与空气接触发生氧化、框架与塑封体结合部位存在间隙容易造成水汽渗入、耐高压绝缘等优点。

申请人：四川民承电子有限公司

地址：621600 四川省绵阳市盐亭县经济开发区与可路1号

国籍：CN

代理机构：成都中玺知识产权代理有限公司

代理人：任洁

本文发布于:2024-09-20 15:27:09，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/xueshu/748342.html

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