芯片失效分析方法及芯片失效分析标记[发明专利]

专利名称:芯片失效分析方法及芯片失效分析标记专利类型:发明专利
发明人:杨梅,殷原梓,文智慧,高保林,赵利利
申请号:CN201310365572.5
申请日:20130820
公开号:CN104425297A
公开日:
20150318
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明揭示了一种芯片失效分析方法及芯片失效分析标记,包括:提供待测芯片,在SEM 下将所述芯片的缺陷位置做第一标记;将所述待测芯片放置于FIB中,利用电子束照射所述第一标记以形成一氧化膜,从而形成在离子束下可识别的芯片失效分析标记。这避免了利用FIB离子束挖洞之前可能出现的寻不到特征点的情况,节省了操作时间,可靠性高,并且在SEM中能够达到30nm的精度,能够满足实际需求。
申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址:201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍:CN
代理机构:上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

本文发布于:2024-09-20 16:54:09,感谢您对本站的认可!

本文链接:https://www.17tex.com/xueshu/746663.html

版权声明:本站内容均来自互联网,仅供演示用,请勿用于商业和其他非法用途。如果侵犯了您的权益请与我们联系,我们将在24小时内删除。

标签:芯片   标记   分析
留言与评论(共有 0 条评论)
   
验证码:
Copyright ©2019-2024 Comsenz Inc.Powered by © 易纺专利技术学习网 豫ICP备2022007602号 豫公网安备41160202000603 站长QQ:729038198 关于我们 投诉建议