量子点光刻胶、由其获得的量子点发光层、包含该量子点发光层的QLE

专利名称:量子光刻胶、由其获得的量子点发光层、包含该量子点发光层的QLED及其制备和应用
专利类型:发明专利
发明人:邹应全,肖正君,辛阳阳
申请号:CN201910485642.8
申请日:20190605
公开号:CN112051709A
公开日:
20201208
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明涉及一种适于光刻制备具有纳米级厚度的量子点发光层的量子点光刻胶,该光刻胶包含光刻胶母液、具有硫醇表面配体的量子点以及载流子传输材料。该光刻胶图案化后可获得具有纳米级别厚度的量子点发光层,从而可应用于QLED。本发明还涉及由本发明量子点光刻胶获得的量子点发光层。该发光层的厚度通常小于100nm,适合制备QLED。本发明还涉及所述量子点发光层的制备,包含本发明量子点发光层的QLED以及包含本发明量子点发光层或本发明QLED的发光装置、照明装置和显示装置。
申请人:北京师范大学
地址:100875 北京市海淀区新街口外大街19号
国籍:CN
代理机构:北京市中咨律师事务所

本文发布于:2024-09-20 13:48:41,感谢您对本站的认可!

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