Nand芯片性能测试方法、板卡、系统和存储介质

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114187959 A (43)申请公布日 2022.03.15

(21)申请号 CN202111086337.5

(22)申请日 2021.09.16

(71)申请人苏州浪潮智能科技有限公司

地址 215168 江苏省苏州市吴中经济开发区郭巷街道官浦路1号9幢

(72)发明人李栋

(74)专利代理机构 11111 北京市万慧达律师事务所

代理人韩兵

(51)Int.CI

G11C29/56(20060101)

G11C29/50(20060101)

G11C29/42(20060101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

Nand芯片性能测试方法、板卡、系统和存储介质

(57)摘要

本申请涉及一种Nand芯片性能测试方法、板卡、系统和存储介质，方法包括：控制待测Nand芯片的第一影响因子至第一待测第一影响因子值；调节待测Nand芯片的第二影响因子至第一待测第二影响因子值；利用测试读写失败比特数量的原始数据对待测Nand芯片中待测样本区块进行读写操作；循环执行第一影响因子值调节和第二影响因子值调节操作，获得全部待测第一影响因子值及全部待测第二影响因子值下读写失败比特信息；对全部待测第一影响因子值及全部待测第二影响因子值下读写失败比特信息进行分析，确定待测Nand芯片性能依赖信息。通过本方案可以提前测试出Nand芯片供电不稳定对Error Bit带来的影响，在硬件电路及保险方案设计中提供理论依据。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-03-15	公开	发明专利申请公布
2022-04-01	实质审查的生效IPC(主分类):G11C29/56专利申请号:2021110863375申请日:20210916	实质审查的生效