(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201980048425.0
(22)申请日 2019.07.17
(30)优先权数据
62/701,466 2018.07.20 US
(85)PCT国际申请进入国家阶段日
2021.01.19
(86)PCT国际申请的申请数据
PCT/EP2019/069173 2019.07.17
(87)PCT国际申请的公布数据
WO2020/016262 EN 2020.01.23
(71)申请人 ASML荷兰有限公司
地址 荷兰维德霍温
(72)发明人 方伟 汪苏
(74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 11256代理人 王茂华 胡良均(51)Int.Cl.H01L 21/12(2006.0
1)H01L 21/68(2006.01)G01N 21/95(2006.01)H01J 37/21(2006.01)H01L 21/66(2006.01)H01L 29/66(2006.01)
(54)发明名称
(57)摘要
通信的控制器，所述控制器包括电路以：经由光
将电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸以定位缺
陷的子集；基于样品的扫描期间电子束检查工具
产生的检查数据确定缺陷的子集中每个缺陷的
位置；基于缺陷的子集的经确定的位置调整缺陷
的坐标；以及将电子束检查工具的FoV设置为第
二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。权利要求书3页 说明书15页 附图5页CN 112740362 A 2021.04.30
C N 112740362
A
1.一种缺陷复查工具，包括：
与电子束检查工具通信的控制器，所述控制器具有电路以：
经由光学成像工具采集裸晶片上的缺陷的坐标；
将所述电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸，以定位所述裸晶片上的所述缺陷的子集；
基于所述裸晶片的扫描期间由所述电子束检查工具产生的检查数据，确定所述缺陷的所述子集中每个缺陷在所述裸晶片上的位置；
基于所述缺陷的子集的经确定的位置，来调整所述缺陷的所述坐标；以及
将所述电子束检查工具的所述FoV设置为第二尺寸，以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
2.根据权利要求1所述的缺陷复查工具，其中所述第一尺寸大于所述第二尺寸。
3.根据权利要求1所述的缺陷复查工具，其中所述裸晶片是未图案化晶片。
4.根据权利要求1所述的缺陷复查工具，其中所述控制器具有电路以基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置来调整所述缺陷的所述坐标包括：所述控制器具有电路以：基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置，确定针对所述缺陷的所述坐标的转换关系；
基于所述转换关系，将经由光学成像工具所采集的坐标映射到新的坐标集合；以及将新的坐标集合设置为经调整的坐标。
5.根据权利要求1所述的缺陷复查工具，其中所述控制器具有电路以基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置来调整所述缺陷的所述坐标包括：所述控制器具有电路以：选择一定数目的缺陷；
控制所述电子束检查工具定位所选择的缺陷；
基于所述检查数据确定所选择的缺陷的位置；
基于所选择的缺陷的经确定的位置，确定针对所述缺陷的所述坐标的转换关系；以及基于所述转换关系调整所述缺陷的所述坐标。
6.根据权利要求5所述的缺陷复查工具，其中所述控制器具有用以选择至少两个缺陷作为所述缺陷的所述子集的电路。
7.根据权利要求5所述的缺陷复查工具，其中所述控制器具有电路以将所述电子束检查工具的所述FoV设置为所述第二尺寸包括：所述控制器具有电路以：
控制所述电子束检查工具定位第一缺陷，所述第一缺陷与所选择的缺陷不同；
基于所述检查数据确定所述第一缺陷的位置；
确定所述第一缺陷的经确定的位置与所述第一缺陷的经调整的坐标之间的差值；以及当所述差值等于或低于预定阈值时，将所述电子束检查工具的所述FoV更改为所述第二尺寸，以基于经调整的所述坐标定位额外缺陷。
8.根据权利要求7所述的缺陷复查工具，其中所述控制器具有电路以：
当所述差值超过所述预定阈值时，基于所述第一缺陷的经确定的位置来更新所述转换关系；以及
基于经更新的转换关系进一步调整所述缺陷的所述坐标。
9.根据权利要求1所述的缺陷复查工具，其中所述光学成像工具是激光散射缺陷检查
工具，所述激光散射缺陷检查工具具有电路以利用激光束来照射所述裸晶片并且检测从所述裸晶片散射的光。
10.根据权利要求9所述的缺陷复查工具，其中所述控制器具有电路以：
从所述光学成像工具接收光散射数据；以及
基于所述光散射数据确定所述缺陷的所述坐标。
11.根据权利要求1所述的缺陷复查工具，其中所述电子检查工具包括：
电子源，配置成产生初级电子束；
至少一个聚光透镜，用于会聚所述初级电子束；
复合物镜，用于将所述初级电子束聚焦至平台系统上的所述裸晶片，所述复合物镜包括：
第一磁透镜；
第二磁透镜，其中针对所述第一磁透镜和所述第二磁透镜两者配置共用极靴；和
静电透镜；以及
探测系统，用于探测从所述裸晶片发出的带电粒子或X射线。
12.根据权利要求11所述的缺陷复查工具，其中所述第一磁透镜包括上极靴和第一激励线圈。
13.根据权利要求12所述的缺陷复查工具，其中所述第二磁透镜包括下极靴和第二激励线圈。
14.一种系统，包括：
光学成像工具，包括用以利用激光束照射样品并且检测从所述样品散射的光的电路；
电子束检查工具，包括用以利用初级电子束扫描所述样品以产生检查数据的电路；以及
与所述光学成像工具和所述电子束检查工具通信的控制器，所述控制器包括电路以：接收由所述光学成像工具产生的光散射数据；
基于所述光散射数据，确定所述样品上缺陷的坐标；
将所述电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸，以定位所述缺陷的子集；
基于所述样品的扫描期间所述电子束检查工具所产生的检查数据，确定所述缺陷的所述子集中每个缺陷的位置；
基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置，调整所述缺陷的所述坐标；以及
将所述电子束检查工具的所述FoV设置为第二尺寸，以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
15.一种与电子束检查工具耦合的控制器，所述电子束检查工具被配置成利用初级电子束扫描样品以产生检查数据，所述控制器包括：
存储指令的存储器；以及
处理器，被配置为执行所述指令以使所述控制器进行如下操作：
经由光学成像工具采集所述样品上缺陷的坐标；
将所述电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸，以定位所述缺陷的子集；
基于所述样品的扫描期间由所述电子束检查工具产生的检查数据，确定所述缺陷的所述子集中每个缺陷的位置；
基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置，调整所述缺陷的所述坐标；以及
将所述电子束检查工具的所述FoV设置为第二尺寸，以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
用于裸晶片检查的系统和方法[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2018年7月20日提交的美国申请62/701,466的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
[0003]本发明一般涉及半导体晶片量测领域，并且更具体地，涉及用于使用带电粒子(例如电子)扫描工具来动态地检查裸晶片或未图案化晶片的系统和方法。
背景技术
[0004]在集成电路(IC)的制造过程中，需要对未制成或已制成的电路元件进行检查以确保它们是按照设计而被制造的，并且没有缺陷。此外，在用于制造集成电路之前，还需要对裸晶片或未图案化晶片进行检查，以确保其无缺陷或符合所要求的规格。如此，裸晶片检查过程已被集成到制造过程中。
[0005]利用光学显微镜能够看到裸晶片上的大缺陷。然而，随着晶片加工条件变得越来越严格，所关注的缺陷的尺寸低于光学显微镜的衍射极限。例如，当技术节点减小到10nm 时，光学工具可能产生大量的妨害缺陷(即误报)。在某些光学检查系统中，90％的已识别缺陷可能证明是妨害缺陷。因此，对已识别的缺陷进行复查并且确认它们是否是真正的缺陷是很重要的。
发明内容
[0006]本公开的实施例涉及用于检查裸晶片的系统和方法。在某些实施例中，提供一种缺陷复查工具。所述工具包括与电子束检查工具通信的控制器。所述控制器包括电路以：经由光学成像工具采集样品上缺陷的坐标；将电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸以定位缺陷的子集；基于样品的扫
描期间电子束检查工具所产生的检查数据确定缺陷的子集中每个缺陷的位置；基于缺陷的子集的经确定的位置调整缺陷的坐标；以及将电子束检查工具的FoV设置为第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
[0007]在一些实施例中，提供一种晶片检查系统。所述系统包括被配置成利用激光束来照射样品并且检测从样品散射的光的光学成像工具。所述系统也包括被配置成利用初级电子束扫描样品以产生检查数据的电子束检查工具。所述系统还包括与光学成像工具和电子束检查工具通信的控制器。所述控制器包括电路以：接收由光学成像工具产生的光散射数据；基于光散射数据确定样品上缺陷的坐标；将电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸以定位缺陷的子集；基于样品的扫描期间通过电子束检查工具产生的检查数据确定缺陷的子集中每个缺陷的位置；基于缺陷的子集的经确定的位置调整缺陷的坐标；以及将电子束检查工具的FoV设置为第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
[0008]在一些实施例中，提供一种控制器。所述控制器与利用初级电子束扫描样品以产生检查数据的电子束检查工具耦合。所述控制器包括存储指令的存储器。所述控制器也包
说 明 书
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