专利名称:一种多晶硅栅极的生长方法专利类型:发明专利 发明人:信恩龙,李润领,关天鹏
申请号:CN201611077583.3
申请日:20161130
公开号:CN106783567A
公开日:
20170531
摘要:本发明公开了一种多晶硅栅极的生长方法,通过先采用选择性生长工艺,在有源区薄的氧化物和沟槽隔离区厚的氧化物上有选择性的沉积第一栅极,使在初始阶段有源区上的生长速率大大快于沟槽区的生长速率,当第一栅极的生长厚度大于等于沟槽区高于有源区的台阶高度时,切换生长工艺,再采用传统工艺生长第二栅极,完成多晶硅栅极的生长,从而降低了多晶硅栅极在有源区和沟槽隔离区高度差,保证了工艺的可控性与可靠性,提高器件的均匀性。 申请人:上海华力微电子有限公司
地址:201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
国籍:CN
代理机构:上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)