发明人:虞勤琴,段淑卿,李明,务林凤申请号:CN200810041881.6
申请日:20080819
公开号:CN101654774A
公开日:
20100224
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明提供了一种抑制金属焊盘腐蚀的方法,该金属焊盘为铝和铜的合金,此方法用于抑制制作在芯片上的金属焊盘在清洗环境中因原电池效应导致的腐蚀。它包括以下步骤:步骤1:在金属焊盘上形成氮化钛层;步骤2:将步骤1形成的氮化钛层在金属焊盘上保留预设时间后,去除金属焊盘上的氮化钛层。本发明通过形成氮化钛层和去除氮化钛层使少量氮化钛扩散至金属焊盘,抑制金属焊盘中铜从铝的晶界析出,从而抑制金属焊盘因原电池效应导致的腐蚀。本发明的抑制金属焊盘腐蚀的方法可有效解决因芯片上金属焊盘腐蚀导致的打线失效率增大及封装良率降低的问题。
申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址:201203 上海市张江路18号
国籍:CN
代理机构:上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)