深紫外阵列互联micro-LED及其制备方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 113903762 A (43)申请公布日 2022.01.07

(21)申请号 CN202111173181.4

(22)申请日 2021.10.08

(71)申请人中紫半导体科技(东莞)有限公司

地址 523000 广东省东莞市松山湖园区学府路1号12栋302室

(72)发明人王新强李铎袁冶刘上锋康俊杰罗巍李泰万文婷

(74)专利代理机构 44218 深圳市千纳专利代理有限公司

代理人刘嘉伟

(51)Int.CI

H01L27/15(20060101)

H01L33/20(20100101)

H01L33/40(20100101)

H01L33/00(20100101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

深紫外阵列互联micro-LED及其制备方法

(57)摘要

本发明公开了一种深紫外阵列互联micro‑LED及其制备方法，本发明采用微米台面降低了紫外光在LED结构中的吸收损耗，覆盖在微米台面阵列上方的金属增强了紫外光线的在电极处的反射，以使大部分的出射光从倒装结构的背面出射，从而大幅度提高了该深紫外LED结构中紫外光的光提取效率，降低了电极的发热，同时微米台面提高了有源区中载流子的注入密度，提高日盲通讯中的调制带宽和传输速率，高亮度则有助于提高信号传输过程中的信噪比和抗干扰能力，以及延长了传输距离。本发明深紫外阵列互联micro‑LED的制备方法灵活性强，兼容现有半导体工艺，有利于改善器件性能，实现批量生产。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-01-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2022-01-07	公开	公开
2022-10-21	授权	发明专利权授予