一种反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片管芯结构及其制作方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 113497164 A (43)申请公布日 2021.10.12

(21)申请号 CN201911208664.6

(22)申请日 2020.03.20

(71)申请人山东浪潮华光光电子股份有限公司

地址 261061 山东省潍坊市高新区金马路9号

(72)发明人徐晓强程昌辉张兆喜闫宝华徐现刚

(74)专利代理机构 37219 济南金迪知识产权代理有限公司

代理人赵龙

(51)Int.CI

H01L33/00(20100101)

H01L33/46(20100101)

H01L33/14(20100101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片管芯结构及其制作方法

(57)摘要

本文提供了一种反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片管芯结构及其制作方法，包括由下至上依次设置的N面电极、硅衬底、TiAu过渡金属层、Sn键合粘附层、Ag镜反射层、ITO过渡层、电流阻挡层、ITO小圆点欧姆接触层、P型GaAs层、P型AlGaInP层、MQW量子阱层、N型AlGaInP层、N型GaAs层、重掺GaAs；重掺GaAs上设置有扩展电极；N型GaAs层上还设置有主电极。通过该方法可以制作出高亮度、高光电转换效率的管芯；使用ITO小圆点工艺来完成表面欧姆接触点的制作，本发明设计的工艺方法简单易操作，不需要引入特殊设备，利用较低的成本，解决了提高亮度的问题，该工艺方法适用于所有GaAs基红光LED芯片的制作工艺。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2021-10-12	公开	公开
2021-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2023-01-24	授权	发明专利权授予