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一种提升长期存储半导体硅片产品良率的工艺处理方法[发明专利]

专利名称：一种提升长期存储半导体硅片产品良率的工艺处理方法

专利类型：发明专利

发明人：唐昭焕，杨发顺，马奎，林洁馨，傅兴华

申请号：CN201711231340.5

申请日：20171129

公开号：CN108063085A

公开日：

20180522

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种提升长期存储半导体硅片产品良率的工艺处理方法，它包括步骤1、喷淋及浸泡：将存储后的半导体硅片进行喷淋及浸泡；步骤2、煮一号液：使用氨水、双氧水和去离子水的混合溶液对浸泡后的半导体硅片进行清洗；步骤3、冲水：对步骤2后的半导体硅片进行冲洗；步骤4、甩干：对冲洗后的半导体硅片进行进行甩干；步骤5、烘培：对甩干后的半导体硅片进行烘干处理；解决了现有技术存在的存储运输后的半导体器件硅片因存储和运输过程中的水汽、颗粒、应力等造成的电参数变化、产品良率下降问题。

申请人：贵州大学

地址：550025 贵州省贵阳市贵州大学花溪北校区科技处

国籍：CN

代理机构：贵阳中新专利商标事务所

代理人：吴无惧

本文发布于:2024-09-20 15:35:08，感谢您对本站的认可！

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