(10)申请公布号 CN 102466646 A
(43)申请公布日 2012.05.23C N 102466646 A
*CN102466646A*
(21)申请号 201110401575.0
(22)申请日 2011.12.07
G01N 21/95(2006.01)
G01B 11/28(2006.01)
(71)申请人江苏腾晖电力科技有限公司
地址215542 江苏省常熟市沙家浜常昆工业
园腾晖路1号
(72)发明人钱峰 魏青竹 孙利国 任军林
陆俊宇
汪燕玲
(54)发明名称
(57)摘要
本发明涉及一种准单晶硅片的外观检测方
法，其包括以下步骤：首先，将准单晶硅片表面积
个准单晶硅片面积的1/(n×n)。之后，将阵列通
过网格线制作于一个透明基底，形成二维网格量
尺。接着，将二维网格量尺与硅片四周边缘重合。
随后，透过二维网格量尺的透明基底观察硅片表
并统计。最后，将单晶晶粒占据的网格数量乘1/
(n×n)，即为单晶晶粒占整个硅片面积的比例，将
多晶晶粒占据的网格数量乘1/(n×n)，即为多晶
晶粒占整个准单晶硅片面积的比例。由此，可以快
速评价准单晶硅片质量。并且，能够提高检测的准
确率。
(51)Int.Cl.
权利要求书1页 说明书2页 附图1页
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请
权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 1 页
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1.准单晶硅片的外观检测方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤①，将准单晶硅片表面积划分成n×n 阵列的网格，令每个网格面积占整个准单晶硅片面积的1/(n×n)；
步骤②，将n×n 阵列，通过网格线制作于一个透明基底，形成二维网格量尺；
步骤③，将二维网格量尺贴于准单晶硅片表面；
步骤④，调整二维网格量尺的网格线外围四个边缘线，以与硅片四周边缘重合；
步骤⑤，透过二维网格量尺的透明基底观察硅片表面，出硅片上单晶晶粒、多晶晶粒的位置分布，并统计出单晶晶粒、多晶晶粒占据的网格数量；
步骤⑥，将单晶晶粒占据的网格数量乘1/(n×n)，即为单晶晶粒占整个硅片面积的比例，将多晶晶粒占
据的网格数量乘1/(n×n)，即为多晶晶粒占整个准单晶硅片面积的比例。
2.根据权利要求1所述的准单晶硅片的外观检测方法，其特征在于：所述的n ＝3、5、6、7、8、9、10、11、12、13。
3.根据权利要求1所述的准单晶硅片的外观检测方法，其特征在于：所述的二维网格量尺的制造方法为，在暗室中利用光绘机在菲林底片中央位置绘制，将经过光绘工序的菲林底片进行显影、定影处理，令光绘图形区域保留下来，没有被光照射区域变为透明部分，构成二维网格量尺。
4.根据权利要求1所述的准单晶硅片的外观检测方法，其特征在于：所述的网格线线宽为10um 至156um ，透明基底厚度为5um 至200um 。
5.根据权利要求4所述的准单晶硅片的外观检测方法，其特征在于：所述的网格线线宽为50um ，透明基底厚度为50um 。权 利 要 求 书CN 102466646 A
准单晶硅片的外观检测方法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种检测方法，尤其涉及一种准单晶硅片的外观检测方法。
背景技术
[0002] 目前市场中出现了用多晶铸锭的方法生产准单晶硅片硅的方法，该方法将单晶、多晶优势相结合，提高产品的竞争力，通过上述方法制作的准单晶硅片除了包含大面积单晶晶粒，通常不可避免地出现部分随机生长的多晶晶粒。但是，单、多晶晶粒面积占整个硅片面积的比例是准单晶硅片的一个重要技术参数，用来评价准单晶硅片质量。目前没有便宜、方便的定量方法和工具来量测该比例参数。
发明内容
[0003] 本发明的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种准单晶硅片的外观检测方法。
[0004] 本发明的目的通过以下技术方案来实现：
[0005] 准单晶硅片的外观检测方法，其包括以下步骤：步骤①，将准单晶硅片表面积划分成n×n阵列的网格，令每个网格面积占整个准单晶硅片面积的1/(n×n)；步骤②，将n×n 阵列，通过网格线制作于一个透明基底，形成二维网格量尺；步骤③，将二维网格量尺贴于准单晶硅片表面；步骤④，调整二维网格量尺的网格线外围四个边缘线，以与硅片四周边缘重合；步骤⑤，透过二维网格量尺的透明基
底观察硅片表面，出硅片上单晶晶粒、多晶晶粒的位置分布，并统计出单晶晶粒、多晶晶粒占据的网格数量；步骤⑥，将单晶晶粒占据的网格数量乘1/(n×n)，即为单晶晶粒占整个硅片面积的比例，将多晶晶粒占据的网格数量乘1/(n×n)，即为多晶晶粒占整个准单晶硅片面积的比例。
[0006] 上述的准单晶硅片的外观检测方法，其中：所述的n＝3、5、6、7、8、9、10、11、12、13。
[0007] 进一步地，上述的准单晶硅片的外观检测方法，其中：所述的二维网格量尺的制造方法为，在暗室中利用光绘机在菲林底片中央位置绘制，将经过光绘工序的菲林底片进行显影、定影处理，令光绘图形区域保留下来，没有被光照射区域变为透明部分，构成二维网格量尺。
[0008] 更进一步地，上述的准单晶硅片的外观检测方法，其中：所述的网格线线宽为10um至156um，透明基底厚度为5um至200um。
[0009] 再进一步地，上述的准单晶硅片的外观检测方法，其中：所述的网格线线宽为50um，透明基底厚度为50um。
[0010] 本发明技术方案的优点主要体现在：通过直观的统计计算，即可得出单晶晶粒、多晶晶粒占据准单晶硅片面积的比例，可以快速评价准单晶硅片质量。并且，依托于二维网格量尺的存在，能够提高检测的准确率，易于推广。
附图说明
[0011] 本发明的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本发明技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。这些附图当中，
[0012] 图1是二维网格量尺放置在准单晶硅片上的施示意图。
[0013] 1 准单晶硅片 2 二维网格量尺
具体实施方式
[0014] 准单晶硅片的外观检测方法，其与众不同在于包括以下步骤：
[0015] 首先，将准单晶硅片表面积划分成n×n阵列的网格，令每个网格面积占整个准单晶硅片1面积的1/(n×n)。具体来说，以n＝10为例，每个网格代表准单晶硅片表面积的1/100，即如图1所示。
[0016] 接着，为了后续检测便利，将n×n阵列，通过网格线制作于一个透明基底，形成二维网格量尺2。具体来说，本发明所采用的二维网格量尺2的制造方法为，在暗室中利用光绘机在菲林底片中央位置绘制。之后，将经过光绘工序的菲林底片进行显影、定影处理。在此期间，显影、定影液为市场常
见药液体。经过光照射，光绘图形区域已改变结构的晶体会变为黑物质保留下来，而没有被光照射区域的晶体未改变其结构，在定影过程中被定影液冲洗掉，变为透明部分，构成二维网格量尺2。
[0017] 之后，将二维网格量尺2贴于准单晶硅片1表面。在此期间，调整二维网格量尺2的网格线外围四个边缘线，让二维网格量尺2与准单晶硅片1四周边缘重合。这样，减少不必要的检测误差。
[0018] 随后，透过二维网格量尺2的透明基底观察硅片表面，出硅片上单晶晶粒、多晶晶粒的位置分布。随即，统计出单晶晶粒、多晶晶粒占据的网格数量。
[0019] 最后，将单晶晶粒占据的网格数量乘1/(n×n)，即为单晶晶粒占整个硅片面积的比例。将多晶晶粒占据的网格数量乘1/(n×n)，即为多晶晶粒占整个准单晶硅片1面积的比例。
[0020] 就本发明一较佳的实施方式来看，考虑到后续统计的便利，n的具体数据可以取3、5、6、7、8、9、10、11、12、13。
[0021] 进一步来看，考虑到网格划分的清晰度得到保证，网格线线宽为10um至156um，透明基底厚度为5um至200um。并且，就多次对比实验来看，为了满足现有流水线的快速检测需求，本发明采用的网格线线宽为50um，透明基底厚度为50um。并且，网格线的颜以深为佳，以异于准单晶硅片片表面原，如：黑、红、蓝等。
[0022] 通过上述的文字表述可以看出，采用本发明后，实施起来简单便利，通过直观的统计计算，即可得出单晶晶粒、多晶晶粒占据准单晶硅片面积的比例，可以快速评价准单晶硅片质量。并且，依托于二维网格量尺的存在，能够提高检测的准确率，易于推广。
图1
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