制备电子级方硅芯的原生多晶硅棒的生产方法及还原炉

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114212794 A (43)申请公布日 2022.03.22

(21)申请号 CN202111661099.6

(22)申请日 2021.12.30

(71)申请人新疆大全新能源股份有限公司

地址 832000 新疆维吾尔自治区石河子经济开发区化工新材料产业园纬六路16号

(72)发明人杨涛莫银飞邹仁苏谭忠芳丁露露

(74)专利代理机构 11348 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人孟阿妮;张小勇

(51)Int.CI

C01B33/035(20060101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

制备电子级方硅芯的原生多晶硅棒的生产方法及还原炉

(57)摘要

本发明公开了一种制备电子级方硅芯的原生多晶硅棒的生产方法及还原炉，涉及多晶硅生产技术领域，目的是提供一种原生多晶硅棒的生产方法，满足制备电子级多晶硅的要求。本发明的主要技术方案为：制备电子级方硅芯的原生多晶硅棒生产方法，包括如下步骤：步骤一，将三氯氢硅和氢气通入还原炉中进行沉积反应，在所述沉积反应过程中，加载硅芯电流；步骤二，停炉退火：(1)沉积反应结束，将三氯氢硅进料流量调整为0m3/h，氢气进料流量维持不变，降低硅芯电流后，将氢气进料流量降至沉积反应结束时的2/3；(2)将硅芯电流分两个梯度升高至2200±30A，再降低氢气进料流量后，再将硅芯电流升高至2400±30A；(3)分四个梯度将硅芯电流降至40A后，对硅芯断电。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-03-22	公开	发明专利申请公布
2022-04-08	实质审查的生效IPC(主分类):C01B33/035专利申请号:2021116610996申请日:20211230	实质审查的生效
2023-03-28	授权	发明专利权授予