在微米级颗粒上通过磁控溅射镀易氧化薄膜的方法[发明专利]

专利名称:在微米级颗粒上通过磁控溅射镀易氧化薄膜的方法专利类型:发明专利
发明人:袁国亮,徐锋,杜宇雷,陈光
申请号:CN201010557401.9
申请日:20101124
公开号:CN101974730A
公开日:
20110216
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种在微米级颗粒上通过磁控溅射镀易氧化薄膜方法,本发明使用真空腔、真空系统、磁控溅射镀膜系统、振动筛及电源等设备,完成粉体的分散、易氧化薄膜在超低氧分压下的生长及封装,最终得到镀过易氧化薄膜的微米级颗粒。微米级颗粒通过一定的工艺在其表面镀有单层或几层复合薄膜,使它既有原组成材料的性质,又具有镀层材料的一些特性,因而在各行各业中都将有着广泛的应用前景。
申请人:南京理工大学
地址:210094 江苏省南京市孝陵卫200号
国籍:CN
代理机构:南京理工大学专利中心
代理人:朱显国

本文发布于:2024-09-23 04:29:27,感谢您对本站的认可!

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标签:薄膜   专利   氧化   磁控溅射
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