一种有源RCD吸收电路及控制方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114204790 A (43)申请公布日 2022.03.18

(21)申请号 CN202111391273.X

(22)申请日 2021.11.23

(71)申请人苏州博沃创新能源科技有限公司

地址 215513 江苏省苏州市常熟经济技术开发区四海路11号科创园

(72)发明人张远鹏张衡张龙

(74)专利代理机构 32231 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)

代理人李嘉宁

(51)Int.CI

H02M1/32(20070101)

H02M1/34(20070101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种有源RCD吸收电路及控制方法

(57)摘要

本发明公开了一种有源RCD吸收电路，包括MOS管和二极管，所述MOS管的栅极连接控制端，所述MOS管的漏极分别连接并联的多个电阻的一端，所述并联的多个电阻的另一端连接二极管的正极，所述二极管的负极连接所述MOS管的源极，所述MOS管的漏极与控制端之间还连接第一电阻，所述并联的多个电阻的另一端还连接并联的多个电容的一端，所述并联的多个电容的另一端作为第一连接端，所述MOS管的源极作为第二连接端。可以有效的实现对MOS管的DS尖峰电压的吸收，尤其是推挽全桥电路中MOS管，并且降低传统RCD的高损耗带来的效率衰减以及体积增大，同时避免了有源钳位电路带来不稳定性。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-03-18	公开	发明专利申请公布
2022-04-05	实质审查的生效IPC(主分类):H02M 1/32专利申请号:202111391273X申请日:20211123	实质审查的生效