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一种二维材料模拟电路及其制备方法和应用[发明专利]

专利名称：一种二维材料模拟电路及其制备方法和应用专利类型：发明专利

发明人：叶镭，彭追日，童磊，李政，缪向水

申请号：CN202011578341.9

申请日：20201228

公开号：CN112687739A

公开日：

20210420

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明属于二维半导体电路领域，具体涉及一种二维材料模拟电路及其制备方法和应用，包括：衬底，双极可调性二维材料，铁电衬底材料薄膜，以及顶部、底部金属电极；二维材料和铁电衬底材料薄膜层叠设置；二维材料的表面设置有顶部金属电极；铁电衬底材料薄膜的表面设置有底部金属电极；铁电衬底材料薄膜用于在不同极化状态下对二维材料中的沟道载流子类型和浓度进行调制；其中铁电衬底材料薄膜的极化通过在顶部和底部金属电极之间外接脉冲电场实现。本发明对铁电衬底材料极化之后撤掉电场，仅利用铁电衬底材料极化状态对二维材料沟道载流子调控，大幅降低功耗；同时通过设置铁电体不同极化状态调控二维材料沟道，具备可重构电路存储和计算能力。

申请人：华中科技大学

地址：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

国籍：CN

代理机构：华中科技大学专利中心

本文发布于:2024-09-20 18:25:26，感谢您对本站的认可！

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