一种SiC MOSFET驱动电路[发明专利]

专利名称:一种SiC MOSFET驱动电路专利类型:发明专利
发明人:吴旋律,郎梓淇,吴小华
申请号:CN201911112126.7
申请日:20191114
公开号:CN110830014A
公开日:
20200221
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明提供了一种SiC MOSFET驱动电路,由于采用巧妙的方式使驱动电路在单电源供电的情况下,实现四电平驱动信号输出;在桥臂另一MOS管开通时刻采用负压关断来避免误导通;在桥臂另一MOS管关断时刻采用零压关断来避免MOS管失效;本发明提供的电路简单易行,而且成本较低;本发明在被驱动MOS管开通关断时刻都采用最大电压驱动,最大化提升开关速度。
申请人:西北工业大学
地址:710072 陕西省西安市友谊西路127号
国籍:CN
代理机构:西北工业大学专利中心
代理人:金凤

本文发布于:2024-09-20 18:27:41,感谢您对本站的认可!

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