(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202210722656.9
(22)申请日 2022.06.24
(71)申请人 惠科股份有限公司
地址 518000 广东省深圳市宝安区石岩街
道石龙社区工业二路1号惠科工业园
厂房1栋一层至三层、五至七层，6栋七
层
(72)发明人 蒲洋 袁海江
(74)专利代理机构 深圳中一联合知识产权代理
有限公司 44414
专利代理师 甘莹
(51)Int.Cl.
H01L 21/683(2006.01)
H01L 33/00(2010.01)
H01L 25/075(2006.01)
(54)发明名称
(57)摘要
弱化结构的制作方法及弱化结构，制作方法包
括：在生长基板上制备多个LED，在暂态基板的一
个表面形成台阶结构，在台阶结构远离暂态基板
面与台阶结构具有粘附层的表面相贴合，剥离各
LED的生长基板，刻蚀多个LED中目标LED所在区 域的粘附层形成与目标LED对应的弱化结构；使
得目标LED与其余LED具有不同的弱化结构，进而
无需采用印章化的转移头进行选择性拾取，从而
降低了巨量转移LED的成本。权利要求书2页 说明书8页 附图5页CN 115116924 A 2022.09.27
C N 115116924
A
1.一种LED的弱化结构的制作方法，包括：
在生长基板的一个表面制备多个LED；
在暂态基板的一个表面形成台阶结构；
在所述台阶结构远离所述暂态基板的表面覆盖粘附层；
将所述生长基板生长有所述LED的表面与所述台阶结构具有所述粘附层的表面相贴合；
剥离各所述LED的所述生长基板；
刻蚀所述多个LED中的目标LED所在区域的粘附层，降低所述目标LED所在区域的粘附层的粘附力，形成与所述目标LED对应的弱化结构。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀所述多个LED中的目标LED所在区域的粘附层，降低所述目标LED所在区域的粘附层的粘附力，形成与所述目标LED对应的弱化结构之后，包括：
将所述目标LED从所述暂态基板转移至接收基板。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀所述多个LED中的目标LED所在区域的粘附层，降低所述目标LED所在区域的粘附层的粘附力，形成与所述目标LED对应的弱化结构，包括：
以所述多个LED中的目标LED为掩膜，采用等离子刻蚀工艺对所述目标LED所在区域的粘附层进行刻蚀；
调节所述等离子刻蚀工艺的刻蚀时间，将所述目标LED所在区域的粘附层的粘附力降低至预设粘附力，形成与所述目标LED对应的的弱化结构。
4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述预设粘附力满足以下条件：
F 1<F 2<F 3
其中，F 1为所述目标LED所在区域的粘附层对所述目标LED的第一粘附力；
F 2为转移头对所述目标LED的第二粘附力；
F 3为所述目标LED之外区域的所述粘附层对所述多个LED中除所述目标LED之外的其他LED的第三粘附力。
5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一粘附力的计算式为：
F 1＝S 1×f 1
其中，f 1为单位面积的所述粘附层对所述目标LED粘附于所述粘附层的第一侧的粘附力；
S 1为所述粘附层与所述目标LED粘附于所述粘附层的第一侧的接触面积；
所述第三粘附力的计算式为：
F 3＝S 3×f 1
其中，f 1为单位面积的所述粘附层对所述目标LED粘附于所述粘附层的第一侧的粘附力；
S 3为所述粘附层与所述其他LED粘附于所述粘附层的第一侧的接触面积，且S 3>S 1。
6.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第二粘附力的计算式为：
F 2＝S 2×f 2
其中，f 2为单位面积的所述转移头对所述目标LED远离所述粘附层的第二侧的粘附力；
S
为所述转移头与所述目标LED远离所述粘附层的第二侧的接触面积。
2
7.如权利要求1至6中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述粘附层的厚度的取值范围为5μm～15μm。
8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在暂态基板的一个表面形成台阶结构，包括：
在所述暂态基板的一个表面沉积预设厚度的介质层；
对所述介质层进行多次光刻形成所述台阶结构。
9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述预设厚度的取值范围为2μm～5μm；
所述台阶结构的台阶高度的取值范围为0.5μm～1.5μm。
10.一种弱化结构，其特征在于，所述弱化结构基于权利要求1至9中任一项所述的制作方法制作而成。
LED的弱化结构的制作方法及弱化结构
技术领域
[0001]本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种LED的弱化结构的制作方法及弱化结构。
背景技术
[0002]随着光电显示技术和半导体制造技术的发展，显示技术已经由液晶显示技术发展到了有机发光二极管显示技术，以及微型发光二极管芯片((MicroLightEmitting Diode，MicroLED)显示技术。其中，微型发光二极管芯片具有尺寸小、集成度高和自发光等特点，在显示方面与液晶显示技术和有机发光二极管显示技术相比，在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。
[0003]在Micro LED显示装置制备过程中，需要将多至几百万甚至几千万的Micro LED芯片从生长基板转移到驱动背板之上，这需要对Micro LED进行巨量转移(Mass Transfer Printing，MTP)。在巨量转移过程中，现有技术的生长基板上的每个MicroLED都具有相同的弱化结构，且需要高精度的印章化(Stamp)的转移头对MicroLED进行选择性拾取，而印章化的转移头制作难度和成本均较高。
[0004]故现有技术Micro LED的巨量转移方法的每个MicroLED都具有相同的弱化结构造成需要采用印章化的转移头进行选择性拾取，提高了Micro LED进行巨量转移的成本。
发明内容
[0005]本申请的目的在于提供一种LED的弱化结构的制作方法方法及弱化结构，旨在解决现有技术的每个MicroLED都具有相同的弱化结构造成需要采用印章化的转移头进行选择性拾取，导致巨量转移Micro LED的成本高的问题。
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种LED的弱化结构的制作方法，包括：
[0007]在生长基板的一个表面制备多个LED；
[0008]在暂态基板的一个表面形成台阶结构；
[0009]在所述台阶结构远离所述暂态基板的表面覆盖粘附层；
[0010]将所述生长基板生长有所述LED的表面与所述台阶结构具有所述粘附层的表面相贴合；
[0011]剥离各所述LED的所述生长基板；
[0012]刻蚀所述多个LED中的目标LED所在区域的粘附层，降低所述目标LED所在区域的粘附层的粘附力，形成与所述目标LED对应的弱化结构。
[0013]在其中一个实施例中，所述刻蚀所述多个LED中的目标LED所在区域的粘附层，降低所述目标LED所在区域的粘附层的粘附力，形成与所述目标LED对应的弱化结构之后，包括：
[0014]将所述目标LED从所述暂态基板转移至接收基板。
[0015]在其中一个实施例中，所述刻蚀所述多个LED中的目标LED所在区域的粘附层，降低所述目标LED所在区域的粘附层的粘附力，形成与所述目标LED对应的弱化结构，包括：
[0016]以所述多个LED中的目标LED为掩膜，采用等离子刻蚀工艺对所述目标LED所在区域的粘附层进行刻蚀；
[0017]调节所述等离子刻蚀工艺的刻蚀时间，将所述目标LED所在区域的粘附层的粘附力降低至预设粘附力，形成与所述目标LED对应的的弱化结构。
[0018]在其中一个实施例中，所述预设粘附力满足以下条件：
[0019]F 1<F 2<F 3
[0020]其中，F 1为所述目标LED所在区域的粘附层对所述目标LED的第一粘附力；
[0021]F 2
为转移头对所述目标LED的第二粘附力；[0022]F 3
为所述目标LED之外区域的所述粘附层对所述多个LED中除所述目标LED之外的其他LED的第三粘附力。
[0023]在其中一个实施例中，所述第一粘附力的计算式为：
[0024]F 1＝S 1×f 1
[0025]其中，f 1为单位面积的所述粘附层对所述目标LED粘附于所述粘附层的第一侧的粘附力；
[0026]S 1
为所述粘附层与所述目标LED粘附于所述粘附层的第一侧的接触面积；所述第三粘附力的计算式为：
[0027]F 3＝S 3×f 1
[0028]其中，f 1为单位面积的所述粘附层对所述目标LED粘附于所述粘附层的第一侧的粘附力；
[0029]S 3
为所述粘附层与所述其他LED粘附于所述粘附层的第一侧的接触面积，且S 3>S 1。[0030]在其中一个实施例中，所述第二粘附力的计算式为：
[0031]F 2＝S 2×f 2
[0032]其中，f 2为单位面积的所述转移头对所述目标LED远离所述粘附层的第二侧的粘附力；
[0033]S 2
为所述转移头与所述目标LED远离所述粘附层的第二侧的接触面积。[0034]在其中一个实施例中，所述粘附层的厚度的取值范围为5μm～15μm。
[0035]在其中一个实施例中，所述在暂态基板的一个表面形成台阶结构，包括：
[0036]在所述暂态基板的一个表面沉积预设厚度的介质层；
[0037]对所述介质层进行多次光刻形成所述台阶结构。
[0038]在其中一个实施例中，所述预设厚度的取值范围为2μm～5μm；
[0039]所述台阶结构的台阶的高度的取值范围为0.5μm～1.5μm。
[0040]第一方面，本申请实施例提供了一种弱化结构，所述弱化结构基于上述第一方面内容中任一项制作方法制作而成。
[0041]本申请实施例与现有技术相比存在的有益效果是：
[0042]本申请实施例提供的LED的弱化结构的制作方法，通过在生长基板上制备多个LED，在暂态基板的一个表面形成台阶结构，在台阶结构远离暂态基板的表面覆盖粘附层，将生长基板生长有LED的表面与台阶结构具有粘附层的表面相贴合，剥离各LED的生长基板，刻蚀多个LED中目标LED所在区域的粘附层，降低目标LED所在区域的粘附层的粘附力，形成与目标LED对应的弱化结构，使得目标LED与其余LED具有不同的弱化结构，进而可以采
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