(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201911388031.8
(22)申请日 2019.12.30
(71)申请人 江西省晶能半导体有限公司
地址 330096 江西省南昌市高新开发区艾
溪湖北路699号
(72)发明人 江柳杨 封波 兰师龙 赵汉民
(51)Int.Cl.
H01L 33/50(2010.01)
H01L 33/54(2010.01)
H01L 33/60(2010.01)
(54)发明名称
(57)摘要
本发明提供了一种荧光膜片制备方法及LED
一预设厚度的荧光胶层并烘烤；S02在荧光胶层
表面涂覆第二预设厚度的第一硅胶层并烘烤，第
一硅胶层中混合有钛白粉。有效解决现有LED灯
珠封装中压合第硅胶层中耗费大量人力物力的
技术问题。权利要求书1页 说明书4页 附图1页CN 111063783 A 2020.04.24
C N 111063783
A
1.一种荧光膜片制备方法，其特征在于，包括：
S01将一定质量比的硅胶和荧光粉均匀搅拌后于一支撑膜表面涂覆，形成第一预设厚度的荧光胶层并烘烤；
S02在所述荧光胶层表面涂覆第二预设厚度的第一硅胶层并烘烤，所述第一硅胶层中混合有钛白粉。
2.如权利要求1所述的荧光膜片制备方法，其特征在于，在步骤S02之后，还包括：
S03根据LED芯片对制备得到的整张荧光膜片进行切割，得到预设大小的荧光膜片。 3.如权利要求2所述的荧光膜片制备方法，其特征在于，切割得到的预设大小的荧光膜片的长和宽比LED芯片的长和宽大50～150μm。
4.一种LED灯珠制备方法，其特征在于，包括由如权利要求2所述的荧光膜片制备方法制备的预设大小的荧光膜片：所LED灯珠制备方法中包括：
S10将LED芯片按规则排列于基板表面，所述LED芯片的发光侧表面朝上；
S20在LED芯片发光侧表面点硅胶；
S30将切割为预设大小的荧光膜片依次贴于各LED芯片表面，覆盖所述LED芯片的发光表面，于所述荧光膜片和LED芯片的相接界面上形成类三角第二硅胶层；所述荧光膜片于荧光胶层一侧贴于LED芯片表面；
S40于所述LED芯片之间填充高反射白胶，直到与所述荧光膜片的高度持平；
S50于LED芯片之间的切割道进行切割得到单颗LED灯珠。
5.如权利要求4所述的LED灯珠制备方法，其特征在于，在步骤S20中，所述硅胶在LED芯片发光侧表面自然流开后占LED芯片表面积的0.5～0.75，其粘度为1500～4500m.Pas 。
6.如权利要求4或5所述的LED灯珠制备方法，其特征在于，在步骤S40之后，还包括：S41于LED芯片表面压膜形成透镜。
权 利 要 求 书1/1页CN 111063783 A
荧光膜片制备方法及LED灯珠制备方法
技术领域
[0001]本发明涉及LED技术领域，尤其是一种荧光膜片制备方法及LED灯珠制备方法。
背景技术
[0002]在将蓝光LED芯片封装成白光LED灯珠中，需要在蓝光LED芯片表面封装荧光粉层，在蓝光的激发下发出白光。在很多产品中还会在荧光粉层表面进一步压合一层硅胶层，用于防止荧光粉层脱落、改善产品的光斑等。但是，硅胶层的压合一般需要借助专用的压膜机设备实现，该类设备不仅费用高昂且工艺复杂，会耗费大量的人力物力。
发明内容
[0003]为了克服以上不足，本发明提供了一种荧光膜片制备方法及LED灯珠制备方法，有效解决现有LED灯珠封装中压合第硅胶层中耗费大量人力物力的技术问题。
[0004]本发明提供的技术方案为：
[0005]一种荧光膜片制备方法，包括：
[0006]S01将一定质量比的硅胶和荧光粉均匀搅拌后于一支撑膜表面涂覆，形成第一预设厚度的荧光胶层并烘烤；
[0007]S02在所述荧光胶层表面涂覆第二预设厚度的第一硅胶层并烘烤，所述第一硅胶层中混合有钛白粉。
[0008]本发明还提供了一种LED灯珠制备方法，包括由上述荧光膜片制备方法制备的预设大小的荧光膜片：所LED灯珠制备方法中包括：
[0009]S10将LED芯片按规则排列于基板表面，所述LED芯片的发光侧表面朝上；[0010]S20在LED芯片发光侧表面点硅胶；
[0011]S30将切割为预设大小的荧光膜片依次贴于各LED芯片表面，覆盖所述LED芯片的发光表面，于所述荧光膜片和LED芯片的相接界面上形成类三角第二硅胶层；所述荧光膜片于荧光胶层一侧贴于LED芯片表面；
[0012]S40于所述LED芯片之间填充高反射白胶，直到与所述荧光膜片的高度持平；[0013]S50于LED芯片之间的切割道进行切割得到单颗LED灯珠。
[0014]在本发明提供的荧光膜片制备方法及LED灯珠制备方法中，至少能够带来以下有益效果：
[0015] 1.通过贴膜的方式将荧光粉覆盖在LED芯片的发光侧表面，且荧光膜片中荧光胶层表面包括一个层包含钛白粉的第一硅胶层，有效提高了LED灯珠光斑均匀性的同时提升了其发光亮度，且光斑均匀。另外，荧光硅胶表面的第一硅胶层无需通过压膜机得到，而是通过直接在荧光胶层表面涂覆制得，大大降低了制备成本。
[0016] 2.在荧光膜片和LED芯片的相接界面上形成类三角第二硅胶层，能够有效提升LED 灯珠的亮度。
[0017] 3.在LED芯片四周围高反射白胶，将五面出光的LED芯片改善为单面发光。
[0018] 4.当LED芯片为硅衬底时，四周围设的高反射白胶能够有效改善硅衬底吸光的问题。
附图说明
[0019]图1～2为本发明中荧光膜片制备方法流程示意图。
[0020]图3～5为本发明中LED灯珠制备方法流程示意图。
[0021]附图标记：
[0022]1-支撑膜，2-荧光胶层，3-第一硅胶层，4-底板，5-LED芯片，6-荧光膜片，7-高反射白胶。
具体实施方式
[0023]为了更清楚地说明本发明实施案例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本发明的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
[0024]如图1-2所示为本发明中荧光膜片制备方法流程图，在该荧光膜片制备方法中，包括：
[0025]S01将一定质量比的硅胶和荧光粉均匀搅拌后于一支撑膜1表面涂覆，形成第一预设厚度的荧光胶层2并烘烤；
[0026]S02在荧光胶层2表面涂覆第二预设厚度的第一硅胶层3并烘烤，第一硅胶层3中混合有钛白粉。
[0027]具体，在制备过程中，首先，将一定质量比(硅胶：黄粉：红粉＝1:0.8～2.2:0.1～1.6)的硅胶和荧光粉均匀搅拌并真空脱泡后，于一支撑膜1(低于180℃下有粘性，在180℃下烘烤3～5分钟后盖该支撑膜基本没有粘性或微粘性，可以为高温UV膜、高温发泡膜等)表面涂覆；之后，设定刮刀高度，刮出第一预设厚度(30～150μm)的荧光胶层2；之后，对涂覆的荧光胶层2进行烘烤成型(如，在70℃下烘烤0.4h)；接着，在荧光胶层2表面涂覆第二预设厚度(10～100μm)的第一硅胶层3，第一硅胶层3中混
合有少量的钛白粉(硅胶和钛白粉的质量比为1:0.004～0.015)；之后，对涂覆的第一硅胶层3和荧光胶层2进行烘烤，得到如图1所示的整张荧光膜片。
[0028]得到整张荧光膜片之后，还包括根据具体的应用对该荧光膜片进行切割的步骤，包括根据LED芯片的大小进行切割，得到预设大小的荧光膜片，如图2所示。为了保证LED芯片2的发光效果，切割得到的荧光膜片较LED芯片面积大，具体荧光膜片的长和宽比LED芯片的长和宽大50～150μm，以确保荧光膜片能够全覆盖LED芯片2的发光表面。另外，还包括根据LED芯片发光侧表面电极的分布，对预设大小的荧光膜片进行进一步切割，得到与LED芯片发光侧表面匹配的荧光膜片，如，当LED芯片为垂直结构芯片时，需要将芯片发光侧表面的电极部位切割去除。
[0029]如图3-5为本发明提供的LED灯珠制备方法流程示意图，该制备方法中包括：[0030]S10将LED芯片按规则排列于基板4表面，LED芯片的发光侧表面朝上，如图3所示。具体，LED芯片2排列的形状、间距根据实际需求进行调整，这里不做限定。基板4可以为陶瓷
基板、PCT、EMC、SMC等，根据实际情况进行选定。
[0031]S20在LED芯片发光侧表面点硅胶；对于点的硅胶的量，不做定量限定，只要其在LED芯片发光侧表面自然流开后占LED芯片表面积的0.5～0.75即可，且硅胶的粘度为1500～4500m.Pas
[0032]S30将切割为预设大小的荧光膜片依次贴于各LED芯片表面，覆盖LED芯片的发光表面，于荧光膜片和LED芯片的相接界面上形成类三角第二硅胶层6(由荧光膜片对LED芯片表面发光侧表面点的硅胶挤压流动形成)，且荧光膜片中荧光胶层2一侧贴于LED芯片表面。[0033]S40于LED芯片之间填充高反射白胶7，直到与荧光膜片的高度持平，如图4所示。为了确保填充的高反射白胶7与LED芯片表面平整，填充了之后还可以包括研磨的步骤，对溢出的高反射白胶7进行研磨至荧光膜片中的第一硅胶层3后停止。
[0034]S50于LED芯片之间的切割道进行切割得到单颗LED灯珠，如图5所示。在另一实施例中，在步骤S50之后，还包括于LED芯片表面压膜形成透镜的步骤。
[0035]在一实例中，包括以下步骤：
[0036] 1.将质量比为1:0.8:0.1的硅胶、黄粉和红粉称量好，均匀搅拌并真空脱泡；放在一支撑膜上将刮出100μm荧光胶层，并将此荧光胶层在温度70℃下，烘烤0.4h；之后，在荧光胶层表面刮一层50μm厚含少量钛白粉(硅胶：钛白粉＝1:0.01)的第一硅胶层，并置于150℃下烘烤2h得到整张荧光膜片；最后，根据LED芯片的大小对其进行切割，得到单颗的荧光膜片，尺寸(长和宽)比芯片大150μm。
[0037] 2.将荧光膜片从支撑膜表面翻至蓝膜上，并从蓝膜上翻到高温泡发膜上。[0038] 3.将倒装57mi
l芯片按照一定的距离共晶于陶瓷基板上，并清洗好助焊剂熔渣。[0039] 4.将含有荧光膜片的高温泡发膜放入烤箱150℃下烘烤5min，使荧光膜片与高温泡发膜之间基本没有粘性，荧光膜片能够从高温发泡膜上取出。
[0040] 5.将配好的透明硅胶点在LED芯片发光侧表面，并控制好胶量，使其自然流开后为LED芯片发光侧表面积的0.6。
[0041] 6.将单颗荧光膜片贴装于LED芯片发光侧表面并放入150℃的烤箱烘烤1h，期间，芯片表面的硅胶由于荧光膜片的挤压沿着荧光膜片和LED芯片的边界流开，形成如图4所示的类三角形硅胶层(碗杯状)。
[0042]7.将搅拌好的高反射白胶划在LED芯片之间，并确定高反射白胶未溢出至荧光膜片表面，并在150℃下烘烤2h。当然，若高反射白胶溢出荧光膜片，后续可对其进行研磨，将荧光膜片表面的高反射白胶去除。
[0043]8.将陶瓷基板进行测试、切割、分选、编带及入库。这之前，若需要透镜，则在高反射白胶烘烤完成之后进行压膜操作并烘烤。
[0044]在另一实例中，包括以下步骤：
[0045] 1.将质量比为1:1.5:0.45的硅胶、黄粉和红粉称量好，均匀搅拌并真空脱泡；放在一支撑膜上将刮出80μm荧光胶层，并将此荧光胶层在温度70℃下，烘烤0.4h；之后，在荧光胶层表面刮一层40μm厚含少量钛白粉(硅胶：钛白粉＝1:0.01)的第一硅胶层，并置于150℃下烘烤2h得到整张荧光膜片；最后，根据LED芯片的大小对其进行切割，得到单颗的荧光膜片，尺寸(长和宽)比芯片大150μm。
[0046] 2.将荧光膜片从支撑膜表面翻至蓝膜上，并从蓝膜上翻到高温泡发膜上。
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