半导体器件及制造方法[发明专利]

专利名称：半导体器件及制造方法专利类型：发明专利

发明人：姚泽强，银发友，尚晓丹

申请号：CN201610909385.2申请日：20161019

公开号：CN106449579A

公开日：

20170222

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：提出了一种半导体器件及制造方法。该半导体器件包含制作于导电性再布线层上的导电凸点/凸起。该半导体器件还可以包含制作于半导体衬底上的钝化层中的第一型浅沟槽，在这种情况下，该导电性再布线层制作于该第一型浅沟槽中。在制作有多个导电性再布线层时，该集成电路芯片还可以包含制作于相邻的导电性再布线层之间的绝缘层。这时，可以针对每个导电性再布线层制作或不制作该第一型浅沟槽。本公开提出的半导体器件具有较高的可靠性、工作稳定性及品质。

申请人：成都芯源系统有限公司

地址：633731 四川省成都市高新综合保税区科新路8号

国籍：CN

本文发布于:2024-09-24 16:36:08，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/xueshu/736460.html

上一篇：双流体喷嘴[发明专利]

下一篇：全自动筛选机[发明专利]

标签：半导体器件制作导电性

留言与评论（共有 0 条评论）