fqpf8n80c场效应管参数

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FQPF8N80C是一种N沟MOS场效应管，其参数如下：

1. 控制阈值电压（Vth）：通常为2.3V至4.0V之间，表示控制栅极电压和漏源电压之间的临界电压。

2. 静态漏极-源极电阻（Rds(on)）：通常为5.8Ω至10.8Ω之间，表示在正常工作条件下，漏极到源极之间的电阻。

m901>两名男孩藏身车底3. 最大漏极电流（Id）：通常为8A，表示最大允许通过漏极的电流。

m序列4. 最大漏极-源极电压（Vdss）：通常为800V，表示最大允许的漏极-源极电压。阈值电压

5. 最大功耗（Pd）：通常为125W，表示在最大允许的温度下，管子能够承受的最大功耗。

肖明华这些是FQPF8N80C场效应管的一些常见参数，实际数值可能略有差异，请根据具体的管子参数手册参考。

本文发布于:2024-09-20 14:54:00，感谢您对本站的认可！

标签：漏极电压表示参数允许管子

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