SRAM最基本的的结构为6管SRAM cell。
一个死刑犯的遗嘱SRAM单元工作可以分为3个部分：保持数据，读/写。耦合的双反相器实现‘0’，‘1’的静态保持。
读数据时，先把字线（word line）充到高电平，使门管导通，然后数据节点向位线阈值
电压（bit line，一般是正反两根）充/放电，灵敏放大器识别出两根位线的电压差将电平放大成合格的高/低电平，即数据读出； 写数据时，先根据要写的数据将某一根位线预充至高电平，同时另一根放电到地电平。然后字线为高，导通门管，位线向数据节点充/放电女人十日谈，这时要保证充/放电电流要大于下/上拉路径电流已使节点电压能够变化到时反相器反转的程度，否则就是一次失败的写入（fail write）。
SRAM操作
SRAM的基本单元有3种状态：standby (电路处于空闲), 建湖县森达小学reading (读)与writing (修改内容). SRAM的读或写模式必须分别具有"readability"（可读）与"write
其中在设计时，MOS管的W/L的设计是最基本的，而W/L的设计是有什么决定呢？将揭示W/L的设计
在进行READ 0 时：
BL先被预充到高电平，BL上有很大的电容，~BL也是被预充到高电平，字线选中该处存储
单元时，当存储的是逻辑0时，M6的D和S都为都为逻辑1，M6 管截止，无电流流过。~BL上的电容存储的电荷不变。而M3管导通，故有电流通过M3管，（BL上的电容很大），这时有电流流过M3和M2，BL上的电荷 就会有个下降，如果M2管的宽长比小于M3管的宽长比的话（相当于M2管的电阻大于M3管的电阻），这时存储逻辑0的电压将比较大，如果存储逻辑0的电压 大于M5管的阈值电压的话，将导致M5管导通，这将导致存储的状态发生改变。（一般BL上的电容的电压有一个很小的下降，这时通过灵敏放大器很容易知道存 储的是逻辑0） 这也就是说在设计关键是：存储逻辑0的那点电压不能大于M5的阈值电压，可以很容易确认M3工作在饱和区，M1工作在线性区。根据电流方程很容易求解~
一般设计：下拉管（M2)的宽长比远远大于M3管的宽长比
在Write 逻辑1时：
分析同上：当写逻辑1时，BL上的电平为逻辑1，~BL上的电平为逻辑0，假设存储的为逻辑0，此时要将逻辑0改写成为逻辑1，当WL选通这一单 元，M6管导通，由于存储的是逻辑0，所以M4管导通，这时要求M6管的那个逻辑1要变成逻辑0,即上拉电阻（M4）远远大于M6管的电阻，（这样就可以 确定宽长比了^_^）此时逻辑1慢慢下降到M2管的阈值电压时，M2此时还导通，若此时小于M2管的阈值电压时，M2管截止，此时写入1。声波速度
总结：
水土保持通报上拉管的宽长比<<M3的宽长比（or M6)<<下拉管的宽长比
实际中一般采用：2:1.2:1的设计。
6管sram简化电路：
6管sram保持数据：
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