集成电路设计基础 2010-11年第第一学期试题苏俄拳王
1、填空题(20分)
文化氛围1、目前,国内已引进了12英寸0.09um芯片生产线,由此工艺线生产出来的集成电路特征尺寸是0.009um (大小),指的是右图中的 W (字母)。 2、CMOS工艺可分为 p阱、 n阱、双阱三种。
在CMOS工艺中,N阱里形成的晶体管是 p (PMOS,
NMOS)。
3、通常情况下,在IC 中各晶体管之间是由场氧来隔离的;
该区域的形成用到的制造工艺是氧化工艺。
4.集成电路制造过程中,把掩膜上的图形转换成晶圆上器件结构一道
工序是指光刻,包括晶圆涂光刻胶、曝光、显影、烘干四 个步骤;
其中曝光方式包括①接触式、② 非接触式两种。
5、阈值电压V T是指将栅极下面的si表面从P型Si变成N型Si所必要的
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电压,根据阈值电压的不同,常把MOS期间分成耗尽型、增强型
两种。降低V T的措施包括:降低杂质浓度、增大Cox 两种。
二、名词解释(每词4分,共20分)
①多项目晶圆(MPW)
②摩尔定律
③掩膜
④光刻
⑤外延
三、说明(每题5分共10分)
① 说明版图与电路图的关系。
四、简答与分析题(10分)
1、数字集成电路设计划分为三个综合阶段,高级综合,逻辑综合,物理综合;解释这三个综合阶段的任务是什么? 2、分析MOSFET尺寸能够缩小的原因。
五、综合题(共4小题,40分)
1、 在版图的几何设计规则中,主要包括各层的最小宽度、层与层
之间的最小间距、各层之间的最小交叠。把下图中描述的与多
晶硅层描述的有关规则进行分类:
(1)属于最小宽度是:
(2)属于层与层之间的最小间距的是: (3)属于各层之间的最小交叠是:
图1
阈值电压2.请提取出下图所代表的电路原理图。画出用MOSFET构成的电路。
图2 图3 图 4
蓝刀锋
3、图4是一个标准的CMOS反相器电路,V TN和V TP分别为NMOS、PMOS
BLK222
晶体管的阈值电压,讨论PMOS和NMOS晶体管导通和截至的条