74 半导体器件物理——4.3.1 理想MOS结构的阈值电压

第4章半导体的表面特性理想MOS结构的阈值电压V T绞车滚筒

P Si -O x max d x G T V V =M Q SC

Q 理想MOS 结构的阈值电压（以P-Si 衬底的MOS 结构为例）

定义：当P 型Si 半导体表面达到强反型，且反型层电子浓度等于衬底空穴（多子）浓度时，这时所施加的栅极电压V G 称作该MOS 结构的阈值电压，也称开启电压，用V T 表示。地被月季

1/2(4εφ)2φS A FP T FP OX

qN V C =+φln A FP i分频器设计

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N kT q n =V T 表达式为（P-Si 衬底）：其中

阈值电压

同理，对于N-Si 衬底，有

1/2(4εφ)2φS D FN T FN

OX qN V C =-+φln D FN i

N kT q n =-其中

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张恪理

本文发布于:2024-09-21 04:28:27，感谢您对本站的认可！

标签：结构反型表面理想

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