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低功耗cmos工艺中nmos管阈值电压偏移的研究

欧尚宜家随着存储单元的尺寸越来越小，高性能、低功耗的 CMOS 工艺的出现及发展，使 CMOS 技术在微处理器、通信芯片、消费性电子产品中得到广泛使用，具有受欢迎以及技术领先生产企业的竞争优势。而在这个过程中，NMOS管的容性是影响CMOS工艺性能及功耗的重要参数之一，但由于应力漂移、热失活以及温度变化等原因，会使 NMOS 管的阈值电压漂移（VT Drift）产生变化，这会相应的对电路的性能及功耗产生不良的影响。因此，进行研究，减小 NMOS 管的阈值电压（VTH）的偏移，会对CMOS工艺的稳定性有重要的意义。

目前，研究者指出，影响NMOS管VTH偏移的因素主要有两大类：一类是源介质应力漂移，即沿其中浅层（Shallow Trench Isolation STI）向 Trench 中传输的源介质应力，是导致NMOS VTH整体变化最重要的因素。另一类是由热失活过程引起的VT偏移，使由于热失活而造成的平均磁性变化相对于源介质应力漂移成为最主要的 VT 偏移因素。为了克服这些因素，技术上可以使用合适的工艺来调节应力空间。具体来说，可以通过采用更深的 Trench ，减少应力的传导，来减少源介质应力引起的VT偏移，而热失活造成VT偏移则可以通过设计产品温度控制环境以及进行阈值电压矫正来减少其影响。

五纵七横cspn阈值电压

因此，运用合适的工艺及技术措施，能够有效的缩小 NMOS管的 VTH 偏移的影响，从而改善功耗性能和稳定性。要实现这一点，就需要对源介质应力漂移、热失活以及温度变化等原因的影响，进行深入的研究，从而开发出符合具体应用的CMOS 工艺。机床罩壳

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本文发布于:2024-09-20 14:32:51，感谢您对本站的认可！

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