氮化铝陶瓷基板的性能参数和应⽤范围氮化铝陶瓷基板在⾼功率器件、半导体、⼤功率模组等领域⼴泛应⽤，就因为氮化铝陶瓷基板的优越特性，今天⼩编就来阐述⼀下氮化铝陶瓷基板的性能参数和应⽤范围。 ⼀，氮化铝陶瓷基板的基础特性和性能参数
1，氮化铝陶瓷基板特性
氮化铝陶瓷基板导热率很⾼，是氧化铝陶瓷基板导热率的5倍，晶体是AIN，硬度强，绝缘性好，耐⾼温和耐腐蚀。
宫古海峡2，氮化铝陶瓷基板热导率（导热系数）
氮化铝陶瓷基板的热导率（导热系数）⼤于等于170W/m.k，氮化铝陶瓷基板的热导率是氧化铝陶瓷基板、氮化硅陶瓷基板所不能及的。
3，氮化铝陶瓷基板多⼤尺⼨
陶瓷基片氮化铝陶瓷基板没有FR4板可以做到很长很⼤，尺⼨相对⽐较⼩，⼀般氮化铝陶瓷基板板料的最⼤尺⼨是110mm*140mm，氮化铝陶瓷基板属于陶瓷基，容易碎，做太⼤太长不符合基材的性质特点。
4，氮化铝陶瓷基板能耗和热膨胀系数
氮化铝陶瓷基板介电损耗很低，在0.0002，加上热膨胀系数也很低（4.6~5.2），介电损耗⼩，能耗⼩，耐⾼温耐腐蚀，经久耐⽤。
5，氮化铝陶瓷基板介电常数
氮化铝陶瓷基板介电常数⼀般在9.0，⽐氧化铝陶瓷基板介电常数低0..8，介电常数低，意味着品质更优。
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节油剂6，氮化铝陶瓷基板抗弯强度
抗弯强度，是指材料抵抗弯曲不断裂的能⼒，主要⽤于考察陶瓷等脆性材料的强度。氮化铝陶瓷基板的折弯强度是450Mpa，氧化铝陶瓷基板折弯强度是400Mpa，意味着氮化铝陶瓷基板能够承受更多的压⼒和张⼒。 监察官法最新消息和待遇20217，氮化铝陶瓷基板硬度和断裂韧性
材料抵抗其它硬物压⼊引起凹陷变形的能⼒。常⽤的硬度单位有布⽒硬度（HB或BHN），维⽒硬度（Hv或VHN），洛⽒硬度（HRA、HRC或RHN）奴⽒硬度（HK或KHN）。材料的表⾯硬度是其强度
、⽐例极限、韧性、延展性及抗磨损、抗切割能⼒等多种性质综合作⽤的结果。氮化铝陶瓷基板的断裂韧性是3.0Mpa m1/2。
8，氮化铝陶瓷基板的脆性和颜⾊、表⾯粗糙度
氮化铝陶瓷基板的脆性较⾼，虽然⽐氧化铝陶瓷基板硬度更强⼀些，氧化铝陶瓷基板板材是⽩⾊的，氮化铝陶瓷基板呈灰⽩⾊。氮化铝陶瓷基板的表⾯粗糙度⼀般要求在⼗⽜以下。
⼆，氮化铝陶瓷基板的应⽤
1，氮化铝陶瓷基板应⽤范围
l 氮化铝粉末纯度⾼，粒径⼩，活性⼤，是制造⾼导热氮化铝陶瓷基⽚的主要原料。
l 氮化铝陶瓷基⽚，热导率⾼，膨胀系数低，强度⾼，耐⾼温，耐化学腐蚀，电阻率⾼，介电损耗⼩，是理想的⼤规模集成电路散热基板和封装材料。
l 利⽤AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发⽫、磁流体发电装置及⾼温透平机耐蚀部件，利⽤其光学性能可作红外线窗⼝。氮化铝薄膜可制成⾼频压电元件、超⼤规模集成电路基⽚等。 2，氮化铝陶瓷基板在半导体应⽤
半导体在集成电路、消费电⼦、通信系统、光伏发电、照明应⽤、⼤功率电源转换等领域应⽤需要器件具备较强的散热能⼒和电器性能。
应用网关3，氮化铝薄膜陶瓷电路基板的应⽤实例
AIN(氮化铝）薄膜性能的特殊性和优异性决定了其在多⽅⾯的应⽤。氮化铝薄膜陶瓷基板已经被⼴泛应⽤作为电⼦器件和集成电路的封装中隔离介质和绝缘材料；作为⼯程LED中最为瞩⽬的蓝光、紫外发光材料，被⼈们⼤量的研究；AlN薄膜还是⼀种优秀的热释电材料；⽤于氮化嫁与碳化硅等材料外延⽣长的过渡层，SOI材料的绝缘埋层以及GHz级声表⾯波器件压电薄膜则是AlN薄膜今后具有竞争⼒的应⽤⽅向。氮化铝薄膜陶瓷电路基板在实⽤案例如声表⾯波器件（SAW）⽤压电薄膜、⾼效紫外固体光原材料、场发射显⽰器和微真空管、作为⼑具涂层、
另外，AlN薄膜在光学膜、及散热装置中都有很好的应⽤前景。AlN薄膜也可⽤于制作压电材料、⾼导热率器件、声光器件、超紫外和X-ray探测器和真空集电极发射、MIS器件的介电材料、磁光记录介质的保护层。
以上是氮化铝陶瓷基板性能参数以及氮化铝陶瓷基板应⽤以及实⽤案例，更多氮化铝陶瓷基板的问题
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