模 拟 电 子
技 术
胡宴如（第3版）自测题
1．1 填空题
1．半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是 电子 ；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是 空穴 。
3．PN结在 正偏 时导通edas 反偏 时截止，这种特性称为 单向导电 性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 增大 ，正向压降将柳条剥皮机
减小 。 5．整流电路是利用二极管的 单向导电 性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是 利用二极管的 反向击穿 特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以 正向 电流就会 发光 的二极管。
7．光电二极管能将 光 信号转变为 电 信号，它工作时需加 反向 偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。
1．2 单选题
1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷
2．PN结形成后，空间电荷区由( D浓缩铀 )构成。
A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子
3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。
A．减小 B．基本不变 C．增大
4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大 B．基本不变 C．减小
5．变容二极管在电路中主要用作( D )。 、
A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器
1．3 是非题
1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √书拉密女小站 )
2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × )
3．二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。( × )
4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × )
1．4 分析计算题
1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压UD(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。
(b)令二极管断开，可得UP＝6 V、UN＝10 V，UP<UN，所以二极管反向偏压而截止，U0＝10 V。
(c)令V1电价下降1分1、V2均断开，UN1＝0V、UN2＝6V、UP＝10V，UP—UN1>Up—UN2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U0＝0.7 V。
2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui＝(sinωt)V，试对应画出ui测井解释、u0、iD的波形。
解：输入电压ui为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u0＝0，而流过二极管的电流iD＝ui／R，为半波正弦波，其最大值IDm＝10 V／1 kΩ＝10 mA；当ui为负半周时，二极管反偏截止，iD＝0，u0＝ui为半波正弦波。因此可画出电压u0电流iD的波形如图(b)所示。
3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知UZ＝5 V，IZ＝5 mA，电压表中流过的电流忽略不计。试求当开关s 断开和闭合时，电压表和电流表、读数分别为多大?
解：当开关S断开，R2支路不通，IA2＝0，此时R1与稳压二极管V相串联，因此由图可得
可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5 V。
当开关S闭合，令稳压二极管开路，可求得R2两端压降为
故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R1、R2构成串联电路，电流表A1、A2的读数相同，即
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