第1章常用半导体器件
一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
1.在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。(√)
2.PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。(√) 3.温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。（×）
4.PN 结具有单向导电性和非线性的伏安特性。(√)
5.结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS R 大的特点。
6.变容二极管在电路中使用时，其PN 结是反向运用。(√) 7.三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。(√) 8.场效应管属于电压控制器件，而三极管属于电流控制器件。(√)
9.对于N 沟道增强型MOS 管，GS U 只能为正，并且只能当GS U >(th)GS U 时，才能形成漏极电流。
10.对于耗尽型MOS 管，GS U 可以为正、负或者零。
二、选择题
1.PN 结外加正向电压时，空间电荷区将A ，当外加反向电压时，耗尽层C 。A.变窄 B.基本不变
C.变宽2.在N 型半导体中，A 为多数载流子，B 为少数载流子。A.电子 B.空穴 C.电子空穴对
3.稳压管的稳压区是其工作在C 。A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
4.三极管工作在放大区时，它的发射结和集电结电压保持A 偏置。A.正向、反向 B.正向、正向 C.反向、反向
5.GS U =0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C
。A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管
6.在本征半导体中加入(A )元素可形成N 型半导体，加入(C )元素可形成P 型半导体。
7.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A)。
A.增大
B.不变
吴少芳C.减小8.稳压二极管是利用PN 结的C 。
A.单向导电性
B.电容特性
C.反向击穿特性
国际海事组织
9.为了使结型场效应管正常工作，栅源间两PN 结必须加B 电压来改变导电沟道的宽度，它的输入电阻比MOS 管的输入电阻小。
A.正向
B.反向
C.减小
10.工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12uA 增大到22uA 时，I C 从l mA 变为
2mA ，那么它的β约为C 。A.83
B.91
C.100第2章基本放大电路
一．在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。
1.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。(×)
2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。(√)
3.放大电路必须加上合适的直流偏置才能正常工作。(√)
4.NPN 三极管输出电压的底部失真都是饱和失真。PNP 三极管输出电压的顶部失真都是饱和失真。(√)
5.不论何种组态的放大电路，作放大用的三极管总要使它的发射结保持正向偏置，它的集电结保持反向偏置。(√)
6.温度升高时，晶体管的β、CE0I 、BE U 的变化情况是β和BE U 增加、CE0I 减小。
有源滤波器(×)7.三极管的交流等效输入电阻随静态工作点变化。(√)
8.放大器的放大倍数反映放大器放大信号的能力；输入电阻反映放大器索取信号源信号大小的能力；而输出电阻则反映出放大器带负载能力。(√)
9.射极输出器的三个主要特点是输出电压与输入电压近似相同、输入电阻大、输出电阻小。(√)
10.共发射极接法的晶体管，工作在放大状态下，对直流而言其输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性。(√)
g反映了场效应管栅源电压对漏极电流控制能力，其单位为ms(毫西门11.跨导m
子)。(√)
12.场效应管放大器常用偏置电路一般有自偏压电路和分压器式自偏压电路两种类型。(√)
二、选择题
1.放大器的静态工作点由它的A决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的B决定。
A.直流通路
B.交流通路
C.交直流通路
2.现有基本放大电路如下：
A.共射电路
永磁电机设计B.共集电路
C.共基电路
D.共源电路
E.共漏电路
选择正确答案填入空内。
(l)输入电阻最小的电路是C，最大的是D、E；
(2)输出电阻最小的电路是B；
(3)有电压放大作用的电路是A、C、D；
(4)有电流放大作用的电路是A、B、D、E；
(5)高频特性最好的电路是C；
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(6)输入电压与输出电压同相的电路是B、C、E；反相的电路是A、D。
三、分析判断题
测得电路中几个三极管的各极对地电压如题图所示。试判断各三极管的工作状态。
A B C D
答：图（A），图（B）所示的三极管工作为放大状态。图（C）所示的三极管工作为截止状态。图（D）所示的三极管工作为损坏状态。
三、简单计算题
1.电路如图所示，晶体管β=50，b b r '=100Ω。
(1)求电路的Q 点、u
A 、i R 和o R ；解：(1)静态分析：
112
2b BQ CC b b R U V V R R =⋅=+1BQ BEQ
EQ f e
U U I mA R R -==+1EQ
BQ I I β=
=+e (R ) 5.7CEQ CC EQ c f U V I R R V =-++=动态分析：'26(1)be bb EQ
mV r r I β=++≈(//)(1)c L u be f外语与外语教学
R R A r R ββ=-=++ 12////[(1)]i b b be f R R R r R β=++≈5o c R R k ==Ω
2.电路如图所示，晶体管的β=80，be r =1kΩ。
(1)求出Q 点；(2)分别求出R L =∞和R L =3kΩ时电路的u
A 、i R 和o R 。解：(1)求解Q 点：
32.3(1)CC BEQ
BQ b e V U I A
R R μβ-=≈++(1) 2.61EQ BQ I I mA β=+≈7.17CEQ CC EQ e U V I R V
=-≈
(2)求解放大倍数和输入、输出电阻：
R L =∞时；(1)0.996(1)e u be e
R A r R ββ+=≈++ //[(1)]110i b be e R R r R k β=++≈Ω
R L =3kΩ时；(1)(//)0.992(1)(//)e L u be e L R R A r R R ββ+=≈++ //[(1)(//)]76i b be e L R R r R R k β=++≈Ω输出电阻：////371s b be o e R R r R R β
+=≈Ω+3.电路如图所示，晶体管的β=60,'100bb r =Ω。
(1)求解Q 点、u A 、i R 和o
R (2)设U s =10mV （有效值），问?i U =,?o U =若C 3开路，则?i U =,?
o U =解：(1)Q 点：
31(1)CC BEQ
BQ b e V U I A
R R μβ-=≈++1.86CQ BQ I I mA
β=≈() 4.56CEQ CC EQ c e U V I R R V
≈-+≈u A 、i R 和o
R 的分析：'26(1)952be bb EQ mV r r I β=++≈Ω,(//)95c L u be
R R A r β=-≈- //952i b be R R r =≈Ω,
3o c R R k ==Ω。(2)设U s =10mV （有效值）
，则
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