序号 | 污染物项目 | 排放限值 | 污染物排放监控位置 | ||||||||||||||
直接排放 | 间接排放(1) | ||||||||||||||||
电子专用材料 | 电子元件 | 印制电路板 | 半导体器件 | 显示器件及光电子器件 | 电子终端产品 | 电子专用材料 | 电子元件 | 印制电路板 | 半导体器件 | 显示器件及光电子器件 | 电子终端产品 | ||||||
1 | pH值 | 6.0~9.0 | 6.0~9.0 | 企业废水总排放口 | |||||||||||||
2 | 悬浮物(SS) | 70 | 400 | ||||||||||||||
3 | 石油类 | 5.0 | 20 | ||||||||||||||
4 | 化学需氧量(CODCr) | 100 | 赛马 500 | ||||||||||||||
5 | 总有机碳(TOC) | 30 | 200 | ||||||||||||||
6 | 氨氮 | 25 | 45 | ||||||||||||||
7 | 总氮 | 35 | 70 | ||||||||||||||
8 | 总磷 | 1.0 | 8.0 | ||||||||||||||
9 | 阴离子表面活性剂(LAS) | 5.0 | 20 | ||||||||||||||
10 | 总 | 0.5 | 联想p7091.0 | ||||||||||||||
11 | 硫化物 | -- | -- | 1.0 | 1.0 | -- | -- | -- | -- | 1.0 | 1.0 | -- | -- | ||||
12 | 氟化物 | 10 | -- | 20 | -- | ||||||||||||
13 | 总铜 | 0.5 | 0.5(2) | 2.0 | 2.0(2) | ||||||||||||
14 | 总锌 | 1.5 | 1.5 | -- | 1.5 | 1.5 | 1.5(2) | 1.5 | 1.5 | -- | 1.5 | 1.5 | 1.5(2) | ||||
15 | 总铅我不是郭靖 | 0.2 | 0.2(2) | 0.2 | 0.2(2) | 车间或生产设施排放口 | |||||||||||
16 | 总镉 | 0.05 | 0.05 | -- | 0.05 | -- | 0.05(2) | 0.05 | 0.05 | -- | 0.05 | -- | 0.05(2) | ||||
17 | 总铬 | 1.0 | 1.0 | -- | 1.0 | -- | 1.0(2) | 1.0 | 1.0 | -- | 1.0 | -- | 1.0(2) | ||||
18 | 六价铬 | 0.2 | 0.2 | -- | 0.2 | -- | 0.2(2) | 0.2 | 0.2 | -- | 0.2 | -- | 0.2(2) | ||||
19 | 总砷 | 0.5 | 0.5 | -- | 0.5 | 0.5 | -- | 0.5 | 0.5 | -- | 0.5 | 0.5 | -- | ||||
20 | 总镍 | 0.5 | 0.5(2) | raf0.5 | 0.5(2) | ||||||||||||
21 | 总银 | 0.3 | 0.3(2) | 0.3 | 0.3(2) | ||||||||||||
注:(1)当企业废水排向城镇污水集中处理设施时,执行本表规定的间接排放限值。当企业废水排向电子工业污水集中处理设施时,第1-14项指标可协商确定间接排放限值,未协商的执行本表规定的间接排放限值。如果企业含总铅、总镉、总铬、六价铬、总砷、总镍、总银中任一种污染物的污水,实行分类收集、专管专送和分质集中预处理,且在企业出口端和电子工业污水集中处理设施入口端均对水质及水量进行监测,则第15-21项指标可协商确定间接排放限值,未协商的执行本表规定的间接排放限值;电子工业污水集中处理设施的分质集中预处理单元出口执行本表规定的排放限值。当企业废水排向其他污水集中处理设施时,第1-8项指标可协商确定间接排放限值,未协商的指标以及第9-21项指标执行本表规定的间接排放限值。(2)适用于有电镀、化学镀工艺的电子终端产品生产企业。 | |||||||||||||||||
序号 | 适用企业 | 产品规格 | 单位 | 单位产品基准排水量 | 排水量计量位置 | |
1 | 电子专用材料 | 硅单晶材料、压电晶体材料、蓝宝石基片 | m3/t产品 | 2200 | 与污染物排放监控位置一致 | |
电子铜箔 | m3/t产品 | 100 | ||||
铝电解电容器电极箔 | m3/m2 | 0.15 | ||||
含电镀工艺的钕铁硼磁性材料 | m3/t产品 | 100 | ||||
其他 | m3/t产品 | 5.0 | ||||
2 | 电子元件 | 压电晶体元器件 | m3/万只产品 | 3.5 | ||
其他 | m3/万只产品 | 0.2 | ||||
3 | 印制电路板(1) | 单面板 | m3/m2 | 0.22 | ||
双面板 | 推敲教学设计m3/m2 | 0.78 | ||||
多层板((2+n)层) | m3/m2 | (0.78+0.39n) | ||||
高密度互连(HDI)板((2+n)层) | m3/m2 | (0.85+0.59n) | ||||
集成电路(IC)封装载板 | m3/m2 | 5.0 | ||||
4 | 半导体器件 | 6英寸及以下芯片 | m3/片 | 3.2 | ||
8英寸芯片 | m3/片 | 6.0 | ||||
12英寸芯片 | 掩膜层数35层及以下 | m3/片 | 11 | |||
掩膜层数35层以上 | 20 | |||||
封装产品 | 传统封装产品 | m3/千块产品 | 2.0 | |||
圆片级封装产品 | m3/片 | 11 | ||||
分立器件 | m3/万块产品 | 3.5 | ||||
5 | 显示器件及光电子器件 | 薄膜晶体管液晶显示器件(TFT-LCD)(2) | m3/m(2以彩膜玻璃基板或阵列玻璃基板投入面积较大的计) | 0.36m(3)/3.5(4)/6.2(5)视盘血管炎 | ||
有源矩阵有机发光二极管显示器件(AMOLED) | m3/m(2以阵列玻璃基板投入面积计) | 12 | ||||
发光二极管(LED) | m3/万粒 | 0.5 | ||||
6 | 电子终端产品 | 含电镀工艺的计算机及其他电子设备 | m3/m2(镀件镀层) | 0.2 | ||
注:(1)表中数值为刚性印制电路板的基准排水量,挠性印制电路板和刚挠结合印制电路板的基准排水量,按本表所列数值增加35%执行。表中n为正整数,2+n为印制电路板层数,如对于6层的多层板,n为4;HDI板层数包含芯板;刚挠板层数以刚性或挠性的最多层数计算。(2)表中数值对应的工艺过程包括阵列-彩膜-成盒-模块。(3)本限值对应6代以上a-Si-TFT-LCD和Oxide-TFT-LCD生产企业,m为正整数,代表光刻次数。(4)本限值对应6代及以下a-Si-TFT-LCD生产企业。(5)本限值对应6代及以下LTPS-TFT-LCD生产企业。 | ||||||
序号 | 控制项目名称 | 排放水平参考值 | 监测位置 |
1 | 斑马鱼卵急性毒性(1) | ≤6 | 企业废水总排放口 |
注:(1)以最低无效应稀释倍数来表征,在26℃±1℃的条件下培养48h,不少于90%的斑马鱼卵存活时水样的最低稀释倍数。 | |||
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