目前最全的LCD专业术语(中英文资料)<超全面+超长>
Backlight:背光。
乩童
CCFL(CCFT) (Cold Cathode Fluorescent Light/Tube):冷阴极荧光灯。
Composite vide复合视频。
Component vide分量视频。
COB(Chip On Board):IC裸片通过邦定固定于印刷线路板上。
COF(Chip On Film):将IC封装于柔性线路板上。
LED光柱
COG(Chip On Glass):将IC封装于玻璃上。
CRT(Cathode Radial Tube):阴极射线管。
DPI(Dot Per Inch):点每英寸。
Duty:占空比，高出点亮的阀值电压的部分在一个周期中所占的比率。
DVI(Digital Visual Interface):（VGA）数字接口
党内立法法ECB(Electrically Controlled Birefringence):电控双折射。
EL(Electro luminescence):电致发光。EL层由高分子量薄片构成
FSTN(Formulated STN):薄膜补偿型STN,用于黑白显示。 HTN(High Twisted Nematic):高扭曲向列的显示类型。
IC(Integrate Circuit):集成电路。
Inverter:逆变器。
ITO(Indium-Tin Oxide):氧化铟锡。 透平式压缩机
LCD(Liquid Crystal Display):液晶显示器。
LCM(Liquid Crystal Module): 液晶模块。
LED(Light Emitting Diode):发光二极管。
LVDS(Low Voltage Differential Signaling):低压差分信号。
NTSC(National Television Systems Committee):NTSC制式,全国电视系统委员会制式
OSD(On Screen Display):在屏上显示。
PAL(Phase Alternating Line)AL制式(逐行倒相制式)。
PCB(Print Circuit Board):印刷线路板。
PDP(Plasma Display Panel):等离子体显示。
SECAM(SEquential Couleur Avec Memoire):SECAM制式(顺序与存储彩电视系统)
STN(Supper Twisted Nematic):超扭曲向列的显示类型。
S-videS端子，与复合视频信号比，将对比和颜分离传输。
TAB驱动蛋白(Tape Automated Bonding):柔性带自动连接 。
TCP(Tape Carrier Package):柔性线路板。
TFT(Thin Film Transistor):薄膜晶体管显示类型。
TMDS(Transition Minimized Differential Signaling) 最小化传输差分信号
TN(Twisted Nematic):扭曲向列的显示类型。
VFD(Vacuum Fluorescence Display):真空荧光显示。
VGA(Video Graphic Array):视频图形阵列。
VOD(Video On Demand):视频点播。
有效显示区域( Active Area)
LCD Panel 的有效显示区域，即可显示文字图形的总面积，参考下图，白区域即此片Panel 的有效显示区域。
开口率(Aperture Ratio)
开口率即是每个画素可透光的有效区域除以画素的总面积，开口率越高，整体画面越亮。
画面比率(Aspect Ratio)
Aspect Ratio为画面宽与高之比率。计算机画面及一般影像画面比率为 4:3 HDTV则可提供16:9的宽平面屏幕画面。
B/M (Black Matrix) :
于 Color Filter 上，用来遮住R、G、B 各Pixel 间之空隙，可大幅减少LCD光点间彼此干扰所产生的光害，呈现更稳定且清晰的影像品质，提升了阅读上的舒适度，同时也减轻了长期使用所造成的眼部压力及疲累感。
CCFL(冷阴极射线管)
Cold Cathode Fluorescent Lamp
将高压施加于灯管之两电极, 电子即由电极端射出, 电子因受高电压加速而与管内之水银原子撞击, 水银原子在被撞击后由不稳定状态急速返回稳定状态时, 会将过剩能量以紫外线 (253.7 nm) 释放出来, 此释放出来之紫外线由萤光粉吸收转换成可视光.
C/F(彩滤光片)(Color Filter) :
彩滤光片上有排列整齐之 RGB(三原)画素，射入的光可经由滤光片转变混合成各种颜。
LTPS 〈低温多晶硅〉
LTPS (Low Temperature Poly Silicon)低温多晶硅，就是在摄氏600oC或更低的温度下经过雷射回火 (Laser anneal)的制程步骤所生产的多晶硅，具有高开口率、可内建驱动IC等外围电路于玻璃基板上、 TFT 反应速度更快且面积缩小、接点数及零件数减少、系统设计简单化，面板可高度提升，以及降低材料成本等优点。
Luminance〈明亮度〉
明亮度指一对象之可见亮度。其取决于可反射光之多寡并由一平方公尺(cd/m2)内之多少烛光来衡量其亮度。因表面物之反射属性之多样化，类似的照明度因对象表面反射属性之不同而造成不同的明视度。例如，同样的光源照射于一黑一白的房间，黑房间之明视度相较于白房间的明视度是非常低而且昏暗。
Moire一种因LCD面板与背光模块刻痕方向不能匹配所造成的光干涉现象。
Mura
水波纹：指在显示影像时，所产生的画面局部或全面的不均匀现象。
Response Time〈反应时间〉
的是屏幕像素接收到信号后，由白转黑(Tr)及由黑转白(Tf)所需转变时间。所需转变时间是越短越好。较短的反应时间使画面转换更为顺畅。一般而言，其都低于60ms. Response time =Tr+Tf
Resolution of Display (显示分辨率)
VGA = Video Graphics Array 640xRGBx480 Dot
SVGA = Super Video Graphics Array 800xRGx600 Dot
XGA = Extended Graphics Array 1,024xRGBx768 Dot
SXGA = Super Extended Graphics Array 1,280xRGBx1,024 Dot
SXGA+ = Super Extended Graphics Array + 1,400xRGBx1,050 Dot
UXGA = Ultra Extended Graphics Array 1,600xRGBx1,200Dot
Spacer〈间隔粒子〉 于两片玻璃基板间, 所均匀洒上的球形树脂粒子, 用来撑出一个间隙, 以灌入液晶, 其作用类似我们盖房子时的柱子。
Uniformity〈均匀度〉
画面的均匀度；将一Panel分为数等份，分别测量其中心点的亮度，所测得的最小值除以最大值即是此Panel均匀度，均匀度越高表示Panel画面越稳定。
View Angle〈视角〉
面对屏幕，往其上、下、左、右四方观测，调整此屏幕直到其无法由此四方看到屏幕画面之角度。以监看者之视觉舒适，可调整视角之广狭。
Back light〈背光源〉
液晶Panel的背面所设置光源。萤光灯管（热阴极管或冷阴极管）、导光板、扩散板所构成。
Contrast Ratio〈对比度管坯C/R〉
此为黑与白之间的对比。比值越高，彩越鲜明。
FPC
Flexible Printed Circuit；可弯曲印刷电路。
Inverter 〈换流器〉
DC/AC换流器主要应用于TFT 面板背光源之power supply。它使用高电压来驱动冷阴极射线管。此独特的电力仪器具有高瓦特数、高效能及坚实小巧的设计。
LVDS (低压差分信号传输)
Low Voltage Differential Signaling；数字显示接口，具有高效能、高速与低功率消耗等特。
Laser Anneal〈雷射回火〉
低温多晶硅与非晶硅最大差异在于，LTPS 的薄膜晶体管TFT，经过雷射回火 (Laser anneal)的制程步骤；利用雷射作为热源，雷射光经过投射系统后，会产生能量均匀分布的光束，投射于非晶硅结构的玻璃基板上，当非晶硅结构玻璃基板吸收雷射的能量后，会转变成为多晶硅结构
QCIF
(Quarter Common Intermediate Format):
QCIF 为视讯会议格式，其每秒可传输30页的资料，每一页有144行、每一行有 176画素(pixel)。 其分辨率为CIF之1/4。QCIF为 ITU H.261 视讯会议之标准。CIF 及QCIF互为兼容并适用于NTSC, PAL 及SECAM三种TV标准。
White Chromaticity 为衡量RGB三原的均衡值的测量方法。较高之温产生偏蓝的白； 较低的温产生偏红的白。
A
a-Si
amorphous silicon
以材料结构而言，amorphous的意思是指未结晶的状态。Amorphous silicon膜具有作为半导体材料之特性，可用plasma CVD装置在400℃以下的温度下形成。因此成为使用玻璃基板之主动矩阵（active matrix）方式液晶面板的TFT主力组件材料。
英：Amorphous means lacking distinct crystalline in material structure’s term. Amorphous silicon film has the quality that can be used as material of semiconductor. It can be formed by using plasma CVD equipment under temperature of 400 degree C. Therefore, it is the major material for manufacturing TFT of LCD panel, which uses glass substrate with active matrix.
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