[资料]目前最全的液晶专业术语
Backlight:背光。
CCFL(CCFT) (Cold Cathode Fluorescent Light/Tube):冷阴极荧光灯。
Composite vide复合视频。
Component vide分量视频。
COB(Chip On Board):IC裸片通过邦定固定于印刷线路板上。
COF(Chip On Film):将IC封装于柔性线路板上。
COG(Chip On Glass):将IC封装于玻璃上。
CRT(Cathode Radial Tube):阴极射线管。
DPI(Dot Per Inch):点每英寸。
Duty:占空比，高出点亮的阀值电压的部分在一个周期中所占的比率。
DVI(Digital Visual Interface):（VGA）数字接口。
ECB(Electrically Controlled Birefringence):电控双折射。
EL(Electro luminescence):电致发光。EL层由高分子量薄片构成
FSTN(Formulated STN):薄膜补偿型STN,用于黑白显示。 HTN(High Twisted Nematic):高扭曲向列的显示类型。
IC(Integrate Circuit):集成电路。
Inverter:逆变器。
ITO(Indium-Tin Oxide):氧化铟锡。
LCD(Liquid Crystal Display):液晶显示器。
LCM(Liquid Crystal Module): 液晶模块。
LED(Light Emitting Diode):发光二极管。
LVDS(Low Voltage Differential Signaling):低压差分信号。
NTSC(National Television Systems Committee)NTSC制式,全国电视系统委员会制式
OSD(On Screen Display):在屏上显示。
PAL(Phase Alternating Line) AL制式(逐行倒相制式)。
PCB(Print Circuit Board):印刷线路板。
PDP(Plasma Display Panel):等离子体显示。
SECAM(SEquential Couleur Avec Memoire)SECAM制式(顺序与存储彩电视系统)
STN(Super Twisted Nematic):超扭曲向列的显示类型。
S-videS端子，与复合视频信号比，将对比和颜分离传输。
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TAB(Tape Automated Bonding):柔性带自动连接。
TCP(Tape Carrier Package):柔性线路板。
TFT(Thin Film Transistor):薄膜晶体管显示类型。
TMDS(Transition Minimized Differential Signaling)
TN(Twisted Nematic):扭曲向列的显示类型。
VFD(Vacuum Fluorescence Display):真空荧光显示。
VGA(Video Graphic Array):视频图形阵列。
VOD(Video On Demand):视频点播。
有效显示区域( Active Area)
LCD Panel 的有效显示区域，即可显示文字图形的总面积，参考下图，白区域即此片Panel 的有效显示区域。
开口率(Aperture Ratio)
开口率即是每个画素可透光的有效区域除以画素的总面积，开口率越高，整体画面越亮。 画面比率(Aspect Ratio)
孙志刚事件Aspect Ratio为画面宽与高之比率。计算机画面及一般影像画面比率为 4:3 HDTV则可提供16:9的宽平面屏幕画面。 B/M (Black Matrix) :
于 Color Filter 上，用来遮住R、G、B 各Pixel 间之空隙，可大幅减少LCD光点间彼此干扰所产生的光害，呈现更稳定且清晰的影像品质，提升了阅读上的舒适度，同时也减轻了长期使用所造成的眼部压力及疲累感。 CCFL(冷阴极射线管)
Cold Cathode Fluorescent Lamp
将高压施加于灯管之两电极, 电子即由电极端射出, 电子因受高电压加速而与管内之水银原子撞击, 水银原子在被撞击后由不稳定状态急速返回稳定状态时, 会将过剩能量以紫外线 (253.7 nm) 释放出来, 此释放出来之紫外线由萤光粉吸收转换成可视光.
C/F(彩滤光片)(Color Filter) :
彩滤光片上有排列整齐之 RGB(三原)画素，射入的光可经由滤光片转变混合成各种颜。
LTPS 〈低温多晶硅〉
LTPS (Low Temperature Poly Silicon)低温多晶硅，就是在摄氏600oC或更低的温度下经过雷射回火 (Laser anneal)的制程步骤所生产的多晶硅，具有高开口率、可内建驱动IC等外围电路于玻璃基板上、 TFT 反应速度更快且面积缩小、接点数及零件数减少、系统设计简单化，面板可*度提升，以及降低材料成本等优点。 Luminance〈明亮度〉
明亮度指一对象之可见亮度。其取决于可反射光之多寡并由一平方公尺(cd/m2)内之多少烛光来衡量其亮度。因表面物之反射属性之多样化，类似的照明度因对象表面反射属性之不同而造成不同的明视度。例如，同样的光源照射于一黑一白的房间，黑房间之明视度相较于白房间的明视度是非常低而且昏暗。
Moire
一种因LCD面板与背光模块刻痕方向不能匹配所造成的光干涉现象。
Mura
水波纹：指在显示影像时，所产生的画面局部或全面的不均匀现象。
Response Time〈反应时间〉
的是屏幕画素接收到信号后，由白转黑(Tr)及由黑转白(Tf)所需转变时间。所需转变时间是越短越好。较短的反应时间使画面转换更为顺畅。一般而言，其都低于60ms. Response time =Tr+Tf
Resolution of Display
VGA = Video Graphics Array 640xRGBx480 Dot
SVGA = Super Video Graphics Array 800xRGx600 Dot
XGA = Extended Graphics Array 1,024xRGBx768 Dot
SXGA = Super Extended Graphics Array 1,280xRGBx1,024 Dot
SXGA+ = Super Extended Graphics Array + 1,400xRGBx1,050 Dot
UXGA = Ultra Extended Graphics Array 1,600xRGBx1,200Dot
Spacer〈间隔粒子〉
于两片玻璃基板间, 所均匀洒上的球形树脂粒子, 用来撑出一个间隙, 以灌入液晶, 其作用类似我们盖房子时的柱子。
Uniformity〈均匀度〉
画面的均匀度；将一Panel分为数等份，分别测量其中心点的亮度，所测得的最小值除以最大值即是此Panel均匀度，均匀度越高表示Panel画面越稳定。
View Angle〈视角〉
面对屏幕，往其上、下、左、右四方观测，调整此屏幕直到其无法由此四方看到屏幕画面之角度。以监看者之视觉舒适，可调整视角之广狭。
Back light〈背光源〉
液晶Panel的背面所设置光源。萤光灯管（热阴极管或冷阴极管）、导光板、扩散板所构成。
Contrast Ratio〈对比度〉
此为黑与白之间的对比。比值越高，彩越鲜明。
FPC
砂轮Flexible Printed Circuit；可弯曲印刷电路。
Inverter 〈换流器〉
凌日>w890iDC/AC换流器主要应用于TFT 面板背光源之power supply。它使用高电压来驱动冷阴极射线管。此独特的电力仪器具有高瓦特数、高效能及坚实小巧的设计。
LVDS
Low Voltage Differential Signaling；数字显示接口，具有高效能、高速与低功率消耗等特。
Laser Anneal〈雷射回火〉
低温多晶硅与非晶硅最大差异在于，LTPS 的薄膜晶体管TFT，经过雷射回火 (Laser anneal)的制程步骤；利用雷射作为热源，雷射光经过投射系统后，会产生能量均匀分布的光束，投射于非晶硅结构的玻璃基板上，当非晶硅结构玻璃基板吸收雷射的能量后，会转变成为多晶硅结构
QCIF
QCIF (Quarter Common Intermediate Format):
QCIF 为视讯会议格式，其每秒可传输30页的资料，每一页有144行、每一行有 176画素(pixel)。 其分辨率为CIF之1/4。QCIF为 ITU H.261 视讯会议之标准。CIF 及QCIF互为兼容并适用于NTSC, PAL 及SECAM三种TV标准。
White Chromaticity
White Chromaticity 为衡量RGB三原的均衡值的测量方法。较高之温产生偏蓝的白； 较低的温产生偏红的白。
A
a-Si
amorphous silicon
以材料结构而言，amorphous的意思是指未结晶的状态。Amorphous silicon膜具有作为半导体材料之特性，可用plasma CVD装置在400℃以下的温度下形成。因此成为使用玻璃基板之主动矩阵（active matrix）方式液晶面板的TFT主力组件材料。
英：
Amorphous means lacking distinct crystalline in material structure’s term. Amorphous silicon film has the quality that can be used as material of semiconductor. It can be forme
d by using plasma CVD equipment under temperature of 400 degree C. Therefore, it is the major material for manufacturing TFT of LCD panel, which uses glass substrate with active matrix.中国禽病论坛网
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