AMOLED p-Si TFT阵列重要工艺
0 概述
AMOLED是一种新兴的显示技术，其制作工艺复杂多样。现以低温多晶硅晶体管（LTPSTFT）的工艺为例，剖析几个较为重要的工艺。
关键词：准分子退火、轻掺杂漏
1.1含义
电梯论坛准分子激光退火是将激光束短时间内（30-200ns）照射到非晶硅薄膜上，瞬间融化非晶硅，使其转化为多晶硅的过程。 佳木斯大学图书馆
1.2重要性
结晶技术多种多样，有固相结晶(SPC)、金属诱导结晶(MIC)和准分子激光退火(ELA)等。ELA在这些结晶工艺中较为适合TFT阵列工艺，一方面非晶硅对准分子激光有很强的吸收率。非晶硅薄膜在308mm的
强紫外线波长下吸收系数较大，表面约5-10mm厚的非晶硅薄膜吸收层吸收100%的紫外光后被熔化。另一方面，准分子激光对下层的穿透度不高，非晶硅受激光照射后，温度上升到2000℃，但只有玻璃基板上约5μm厚的表面层有温度变化，其他部分几乎没有温度变化。［1］TFT-LCD技术：结构、原理及制造 申智源
影响晶粒的大小的主要因素是激光能量密度和照射次数。如图所示。从图中可知，在低能量密度区，晶粒随着能量密度的增加逐渐增大。而当能量密度达到一定值时，晶粒突然增大。继续增加激光能量密度时，整层非晶硅全部被熔解。由于没有籽晶导引，非晶硅薄膜结晶化为晶粒尺寸很小的多晶硅薄膜。非晶硅薄膜照射一次后，得到的多晶硅颗粒尺寸不大。实际上为了使颗粒尺寸 张卫平教你打篮球最佳化，会反复照射20次。
从第六讲我们可以知道，晶粒大小就是一个重要的影响因素。如果晶粒较小，那么晶界面所占比例就会增大，晶界面上的原子排布不规则存在畸变，从
云南仪表厂而使系统的自由能增高。而如果晶粒较大，则多晶硅的均一性就不好。所以在ELA退火时要重点把握晶粒大小的控制。在ELA技术中，横向生长比较好，可
以产生颗粒大一些的晶粒，超级横向生长区（SLG）有利于提高多晶硅的载流子迁移率，但是对应的激光能量范围非常小，而且结晶均一性不高。
综上，ELA在AMOLED阵列工艺里较为重要，如果多晶硅晶体管表面晶体形
成的差异较大，就会使OLED在发光时不平均而形成波纹（MURA）等问题。［2］OLED 梦幻显示器——材料与器件 陈金鑫 黄孝文 而且ELA工艺需要综合多方面的影响，工艺窗口较小，需要重点考虑。
2 轻掺杂漏（LDD）
2.1含义
轻掺杂漏（LDD）是在常规晶体管的漏源和沟道之间加入了轻掺杂区域，从
而有效的降低了沟道电场和热载流子效应。
低温多晶硅TFT关态泄漏电流较大，比非晶硅高十倍至百倍，17%的成品率日译汉
下降都是因为泄漏电流大引起的。产生的原因主要有：晶粒内和晶粒间的缺陷，引起陷阱辅助电流和带间隧穿电流；源漏电压比比较低时热效应产生的泄漏电流；源漏电压比比较高时，场效应及光辅助隧穿导致泄露电流较大。［3］平板显示技术基
础 王丽娟
541舰2.2重要性
在第七讲里，我们知道对于p-Si TFT来说，它的漏电流比较高，如果给漏
源一个轻掺杂可以有效减少漏电流。由于寄生电阻和LDD掺杂浓度成反比，而
漏极电场与LDD掺杂浓度成正比，所以一般根据实际情况，LDD的掺杂浓度为1014cm－2，而且与普通的门偏薄膜晶体管相比，开关电流比也大了一个数量级。 而且LDD结构对于莫波晶体管而言，减小了其横向磁场饱和区域，由此降低了
电离率。
LDD工程通常在栅极氧化层与栅极形成之后，通过自对准方法注入离子。
如图，掺杂区域为Los，大约为1-3μm，关态电流可以减小切对开态电流影响
不大。
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