Flash存储芯⽚M25P16中⽂资料
1、M25P16概述
M25P16是⼀款带有先进写保护机制和⾼速SPI总线访问的2M字节串⾏Flash存储器，该存储器主要特点：2M字节的存储空间，分32个扇区，每个扇区256页，每页256字节；写⼊1页数据所需时间为1．4 ms(典型值)；能单块擦除和整块擦除：2．7～3．6 V单电源供电电压；SPI总线和50 MHz数据传输时钟频率；每扇区擦写次数保证10万次、数据保存期限⾄少20年。该款器件特别适⽤于⼀体化打印机、PC主板、机顶盒、CD唱机和DVD视盘机、数字电视、数码相机、图形卡和平⾯显⽰器等各种应⽤的代码和数据存储需求。 M25P16采⽤SO16封装或VDFPN8封装，其引脚排列图如图1与图2所⽰。其部分主要引脚功能描述如下：
引脚Q：输出串⾏数据。
引脚D：输⼊串⾏数据。
引脚S：⽚选，该引脚低电平有效。若为⾼电平，串⾏数据输出(Q)为⾼阻抗状态。
引脚HOLD：控制端，暂停串⾏通信。在HOLD状态下，串⾏数据输出(Q)为⾼阻抗，时钟输⼊(C)和数据输⼊(D)⽆效。
引脚W：写保护端，能够限制写指令和擦除指令的操作区域，低电平有效。 图1 图2
2、单⽚机SPI接⼝与M25P16的连接图如图3
图3
3、M25P16⼯作原理
M25P16写⼊⼀个字节数据需写使能(WREN)和写⼊(PP)指令。采⽤这两个指令实现单页编程。对于某个单字节空间的操作，在使⽤PP 指令之前需要对其擦除(FFh)。擦除操作可通过单块擦除指令(SE)和整块擦除(BE)来完成。擦除之前需要先执⾏WREN指令。当⽚选S信号为低电平，则选中该器件，此
时处于有效电源模式；当⽚选S信号为⾼电平，器件未被选中，但能在所有内部指令周期(写⼊，擦除，写状态寄存器)完成前保持有效电源模式。等指令周期完成则进⼊备⽤电源模式。通过特殊指令来读取或设置状态寄存器内的状态位和控制位，实现相应操作。
在该器件所有输⼊输出的指令、地址和数据中，数据置于⾸位。当⽚选信号被拉为低电平，在时钟信号的第⼀个下降沿开始采样数据输⼊信号。每个指令序列都是以单字节指令代码开头，紧接着就是地址或数据。在读取数据、快速读取数据、读状态寄存器、读标识和读电⼦签名时，数据输出序列紧随输⼊指令序列。当数据输出序列的所有数据位都输出后，⽚选信号置为⾼电平。⽽在页⾯数据写⼊、单块擦除、整块擦除、写状态寄存器、写使能和写⽆效时，⽚选信号必须在⼀个字节内置为⾼电平。否则，指令不执⾏。也就是说，拉低⽚选信号后，时钟信号必须是8的整数倍。在写状态寄存器周期、数据写⼊周期或者擦除周期，则忽略任何对存储空间的访问，并不会对这些周期产⽣影响。表l为M25P16的指令表。
表1
lalu
(1)写使能(WREN) 写使能指令⽤于设置内部写使能锁存器位。在页⾯数据写⼊、单块擦除、整块擦除和写状态寄存器之前，必须先执⾏写使能。当⽚选信号拉低后，就开始执⾏写使能指令，接着传输指令。指令发送完后，⽚选信号置为⾼电平。写使能时序如图4所⽰。
图4
(2)读标识指令(RDID) ⾸先需将⽚选信号拉为低电平，接着写⼊读标识指令(RDID)，然后通过数据输⼊引脚读⼊3字节标识码。⽚选信号置为⾼电平终⽌数据读取指令。时序如图5所⽰:
图5
(3)读状态寄存器(RDSR)⼏乎在任何时刻都能读取状态寄存器的值，甚⾄器件处于写⼊数据、擦除或写状态寄存器周期时。此时建议在传输新指令之前应先检查WIP位。状态寄存器的格式如表2所⽰。
表2
剪叉式液压升降机设计表2中，WIP位能够确定存储空间是否处于写状态寄存器、写⼊或擦除周期。WIP为“1”时则处于以上⼏个周期。WEL位能够确定内部写使能锁存器的状态。写⼊“1”时置位。写⼊“0”时，写状态寄存器、数据写⼊和擦除指令都⽆效。BP2，BPl，BPO位确定软件写保护的区域⼤⼩，并且是⾮易失性的。SRWD位⽤于在写⽆效位和写保护引脚⼯作时可使该器件处于硬件保护模式。此模式下，3个⾮易失性位变为只读位，并且写状态寄存器指令不会执⾏。
(4)读取数据(READ) ⾸先需将⽚选信号拉为低电平，接着写读取数据指令和3个字节的地址(A23~A0)。然后通过数据输出引脚(O)输出该地址存储内容。地址的⾸字节可以是任意值。在输出每个字节数据后，地址⾃动加1，跳⾄下⼀地址。因此，整个存储空间的数据读取可通过⼀个简单的数据读取指令(READ)完成。当达到最⾼地址时，地址计数器⾃动清零。⽚选信号置为⾼电平可终⽌数据读取指令(READ)。数据输出的任何时候，⽚选信号都置为⾼电平。该器件处于擦除或数据写⼊周期时，数据读取指令⽆效并且对当前周期⽆任何影响。其页⾯数据写⼊指令时序如图6所⽰。杨贵妃传
图6
(5)页⾯数据写⼊(PP)执⾏PP指令之前，必须先执⾏写使能指令。写使能指令解码后，器件设置为写使能锁存器。⽚选信号必须拉低，接着是PP指令代码、3字节的地址和数据输⼊(⾄少⼀个字节)。如果地址的低8位(A7～AO)不全是O⽽写⼊的数据字节超出当前页的地址，超出部分则从下⼀页⾸地址开始写⼊。在整个数据写⼊时序中，⽚选信号必须拉低。如果写⼊的数据字节数⼤于256，则先前所锁存的数据被丢弃。将数据正确写⼊之后便可核对状态寄存器WIP位的值。若为1，则表明处于⾃定时数据写⼊周期；若为0，则此周期完成。如果某⼀页受到块保护(BP2，BPl，BP0位)，则不能执⾏对此页的数据写⼊操作。按照上述指令操作，能够获得驱动程序的流程图。图7为数据写⼊(PP)操作的
程序流程。
图7
(6)扇区擦除指令(SE) ⾸先发送写使能指令(WREN)，接着发送扇区擦除指令(SE)，然后写⼊需擦除扇
断裂基因
区的3字节地址。时序如图8
史阜民
图8
(7)整块擦除指令(BE) ⾸先发送写使能指令(WREN)，接着发送整块擦除指令(BE)，便可将芯⽚所有数据擦除，所有的字节数据都变为FF。时序如图9
图9
4、M25P16的读写驱动程序：
2-硝基芴
具体的程序例⼦可参考：
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
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