摘要:2μm中波红外锑化物激光器在大气光学检测和环境监测,自由空间光通讯,红外测试,清洁能源,煤矿安全,分子光谱测量、激光医疗、红外雷达、生物技术和热成像等领域表现出应用潜力。本论文设计并制备了2μm锑化物激光器,制备的器件阈值电流约为420mA。室温下,注入电流为1.1Ith时激射光谱发射波长在2μm大学学报
左右。 关键词:中波红外 锑化物 激光器
1 摩托车下乡信息管理系统引言
中红外波段半导体激光器,具有体积小、质量轻、功率高、易于集成等优点,锑化物材料以其独特的能带结构和在中红外激光器等领域的应用前景,成为2～10μm中红外波段半导体激光器的首选材料[1高庆狮～3]。尽管世界上许多研究机构开展了中红外锑化物半导体激光器件的研究工作,但是由于研究还不成熟,以及大规模商用难于实现等方面的缺点,正阻碍着它进一步的应用和发展。目前当飞机飞越彩虹,中红外锑化物半导体激光发射器件的大部分研究工作主要集中在材料制备、器件性能提高、波长拓展等领域。国内在近几年也开展了2mm左右的激光器材料和器件的研究,
但相比于国外的研究水平我们在这部分比较薄弱,由于民用和军用的迫切需求,特别是中红外半导体激光器在反恐、生化检测、激光制导和激光雷达等领域需求更加迫切,我国在这一领域的核心竞争力亟需提升的背景下,锑化物激光器的研究工作已经引起了重视[3～6]。本论文针对2μm波段锑化物激光器材料制备与结构特性开展了系统研究。
屯兰矿2 实验
设计了InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱激光器,在诸多影响激光器性能的因素中,我们认为波导层的设计与优化对激光器的性能影响很大,波导层紧邻有源区和限制层,对阱区载流子复合等有重要影响,在实验中我们研究了2.4μm厚波导厚度的硝烟岁月InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱激光器(如表1)
经过光刻、条刻蚀、窗口工艺、合金工艺,P面溅射Ti/Pt/Au,n面溅射Au/Ge/Ni,料焊装到C-Mount热沉。
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