儒家思想与现代企业管理
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-.!,CV601O!Ae n,O!%!#*Q*!ODEQ*!0.5Va‘!ODE 达到峰值50ns/mo，而后随着气压的增大，刻蚀速率降低％0.5Pa气压下的石英玻璃微槽底部平直，“长草现象” 逐步消失％随着功率的增大，刻蚀速率变快％通过不同玻璃材料的刻蚀，可以看出，在采用SF6刻蚀剂的情况下，K9玻璃的刻蚀速率大于石英玻璃的刻蚀速率,GG17耐高温玻璃的刻蚀速率小于石英玻璃的刻蚀速率％本研究可为玻璃微器件制备提供工艺参考％
/01!石英#V2#蚀#气压
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0&!&"地理课件
目前，各种类型的玻璃材料在MOEMS"Micra-CRto-Clectra-Mechanical Systems$及生物芯片中得到了大量的应用(1C)%K9玻璃、石英玻璃&GG17高温玻璃作为现在常用的光学材料，它们在MOEMS制备中占据了重要的作用％-aUanishi等⑷采用46%的作为刻蚀剂制备出玻璃材质的电泳芯片。玻璃材料由于其自身特性，它没有电荷的自由移动，介电性能好，玻璃通孔技术"Through氧lass70，TG7$在半导体工业中越来越显示出其优越性,TG7克服了硅通孔技术"Through Silicon7O，TS7$的载流子在电场、磁场作用下能够自由移动，对临近的信号产生干扰的缺点，提高了芯片的使用性能％在干法刻蚀中，采用CF4&C0F3&SF6&C4F8& F12等氟基气体(5)，辅助气体如氟气、氮气等气体，在等离子体下对玻璃进行刻蚀％中科院微电所对TG7进行了一定的研究，他们使用C q F&Ar气刻蚀玻璃，在石英玻璃上加工出直径50!S的深孔⑷％台湾中央研究院加工出了深宽比大于20p nl.18!皿的硅纳米柱阵列(7)；荷兰代尔夫特理工大学加工出了深宽比为280!S：5!m，刻蚀速率为3.67R m/mO的硅通孔(8)。然而,TG7技术面临的关键问题是没有类似硅的“Bosch”深刻蚀工艺，难以快速制作高深宽比的玻璃深孔或沟槽％因此可以进一步对玻璃刻蚀工艺进行研究，为玻璃微器件制备提供技术支持％
基金项目：福建省漳州市自然科学基金"ZZ2018J27)；厦门大学嘉庚学院预研究项目"662019L03)
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