金属有机化学气相沉积法

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英语课程标准    金属有机化学气相沉积法,也称为金属有机化学气相沉积(MOCVD),是一种在高温下使用金属有机化合物作为前体材料的气相沉积技术。该技术常用于制备高质量的薄膜和纳米材料,尤其是半导体材料,如氮化物、磷化物、砷化物和镓化物等。MOCVD技术已广泛运用于半导体器件、LED、激光器、光电器件、太阳能电池等领域。相比于其他沉积技术,MOCVD具有沉积速度快、控制性好、沉积厚度均匀等优点。同时,通过调控前体材料和反应条件,可以控制沉积物的化学成分、结构和晶格缺陷等性质,从而实现对材料性能的调控和优化。bes

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标签:沉积   材料   技术   金属   气相   前体   调控   有机
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