mocvd系统外延生长ⅲ-ⅴ族化合物时ⅴ/ⅲ比的计算偏差

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topgamer>常州工学院学报

退出机制MOCVD系统以水溶液中各种ⅲ-ⅴ族元素氧化物作为原料，常用来外延生长半导体器件，如硅、镓、砷化镓等。根据原料的固体偏析特性，在外延片表面可产生ⅴ／ⅲ元素的细微分布差异，尤其是ⅴ／ⅲ比的偏差。由于MOCVD反应的复杂性和许多变量的多样性，ⅴ／ⅲ比的偏差会影响最终产物的性能，如能带宽、迁移率、功耗、热老化性能和抗压强度等。

为了改善偏差，可以在MOCVD系统做出一些改进，以活化原料或实现均匀外延薄膜。例如，可以提高加热温度、增加辅助气的流量、克服压力不均匀的现象等，均可有效缩小ⅴ／ⅲ比的偏差。除此之外，还可以采用MOCVD外延中的校正方法，如“热调节和原料比例调整”，可以用来实现快速终端控制，缩小偏差。

许亚伟MOCVD外延生长ⅲ-ⅴ族元素氧化物表面的ⅴ／ⅲ比偏差极大影响元件的最终性能。不仅要改善MOCVD系统，还要采用特定技术进行校正。从而能够不断降低偏差，从而改进半导体器件的性能，最终满足各类应用的要求。

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