MOCVD系统检漏技术

设备管理与维修2019翼9
(上
)MOCVD 系统检漏技术
宋健,张清旭
(化学与物理电源重点实验室,天津
300384)
摘要:介绍MOCVD 的基本原理和几种常见的检漏方法,探讨MOCVD 系统各部分的作用及其检漏技术,使工艺人员能够快速
有效的确定设备各部分漏率,辅助分析产品的缺陷,最后给出降低MOCVD 系统漏率的有效措施。关键词:MOCVD 系统;漏率检测;氦质谱检漏仪法中图分类号:TN305文献标识码:B DOI :10.16621/jki.issn1001-0599.2019.09.531MOCVD 技术背景
保密工作杂志
百美图之MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition ,金属有
机物化学气相沉积)是生长高质量半导体薄膜材料的技术。它是
1968年由美国洛克威尔公司的H.M.Manasevit 提出来的一种制
备化合物半导体薄层单晶的方法。20世纪80年代以来,得到了迅速的发展。MOCVD 设备在太阳能电池、发光二极管(LED )、场
效应晶体管(FET )、探测器、半导体激光器等多个领域有广泛应
用。MOCVD 技术涉及流体力学、反应动力学、传热学、光学、控制工程等领域,属于一门综合运用各个学科技术的高科技设备,
具有较高的学术研究价值。
目前全球市场上MOCVD 设备以美国Veeco 、德国Aixtron 为主。近年来,国产MOCVD 设备的研发也有了长足的进步,中微、中晟两家公司研发的国产MOCVD 设备,市场份额正在逐年扩大。虽然各家公司的设备结构有所不同,但MOCVD 设备的运行原理并没有本质上的差别。本研究基于砷化镓太阳能电池研究领域,该
MOCVD 系统使用的原材料为易燃、易爆、剧毒的气体氢化物及液
态金属有机化合物(MO 源),载气为超高纯的氢气、氮气混合气体。2当前主流漏率检测技术
目前,氦质谱检漏仪法是世界公认的最灵敏、能定位和定量测量漏孔漏率的一种优选方法。因此在各行业中得到了广泛的应用。如何正确的反映MOCVD 系统工作时的漏率值,并尽可能的降低漏率值,仍然是广大工艺人员和维护人员所关心的问题。另外,基于安全和设备本身的限制,氦质谱检漏仪法并不是万能的,MOCVD 系统部分分支机构需要结合静态升压法、静态降压法、氢气仪检漏法、气泡检漏法等方法进行检漏,只有当设备所有的分系统漏率都处于可接受的范围,才能保证设备安全、稳定的运行,才能保证生产出质量合格的产品。3MOCVD 系统原理及设备检漏技术简介
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MOCVD 就是以金属有机物(如TMGa ,TMAl ,TMIn ,TEGa 等)和烷类(如AsH 3,PH 3,NH 3,SiH 4等)
为原料进行化学气相沉积,生长单晶薄膜的一种技术,以热分解反应方式在衬底上进行
气相外延。金属有机化合物大多是具有高蒸气压的液体,通过氢
气、氮气或者其他惰性气体作为载气,将其携带出与烷类混合,再共同进入反应室高温下发生反应。其技术基础是在一定温度下,金属有机物和烷类发生热分解,再在一定晶向的衬底表面上
吸附、化合、成核、生长。
因为MOCVD 生长使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物质,并且要生长多组分、大面积、薄层和超薄层异质材料,因此在
MOCVD 系统中,通常要考虑系统密封性要好,在满足安全的前提下,尽量降低系统的漏率,避免引入外部杂质。除了系统的外
部漏率需要满足要求外,气动阀门还须具有较低的内部漏率。一
般来说,
MOCVD 系统是由气体输运系统、反应室和加热系统、尾气处理系统和控制系统等组成。
本论文的核心工作是对气体的输运系统、反应室和尾气排放
系统进行高等级的漏率检测。气体输运系统的作用为向反应室输送各种反应气体。该系统要能够精确的控制反应气体的浓度、流量、流速以及不同气体送入的时间和前后顺序,从而按设计好的方案生长特定组分和结构的外延层。气体输运系统包括氢气和氮气纯化供给系统、金属有机化合物供给系统、烷类供给系统以及多路阀门组。反应室包括双胶圈密封系统、喷淋系统、循环水系统。尾气排放系统
包括主排气管路、安全旁路、尾气收集管路。MOCVD 系统检漏主要是采用氦质谱检漏仪完成的。对于不能够使用氦质谱检漏仪的部件,则采用氢气探测仪、真空规压
力计等仪器间接测量漏率。氦质谱检漏仪采用ULVAC 公司的
北京质检总局
UL1000Fab 检漏仪,
该型号检漏仪灵敏度高,在最佳工作状态下,最小可检漏率Q min 约1.0伊10-13Pa ·m 3/s ,在具体检漏工作状态
下(不一定最佳),有效最小可检漏率Q e 约1.0伊10-10Pa ·m 3/s 。
氢气探测仪选用德尔格公司的X-AM5000型号的检测仪,该型号的探测仪对氢气分子的探测能达到PPM 量级。4MOCVD 系统各部分检漏技术研究
MOCVD 技术涉及多种学科专业知识,对设备部件的控制
精度要求很高,因此其构成非常复杂。MOCVD 系统主要包括反划线更正法
应室系统,加热系统、冷却系统、气体输运及尾气处理系统和控制系统等部分。检漏工作主要是针对
反应室系统、冷却水系统、气体输运系统、尾气排放系统来进行的。MOCVD 设备核心反应室一般在(0.003耀0.08)MPa 的低真
空范围运行,工艺气体多数为剧毒的氢化物,比如AsH 3气体的
半数致死浓度LC-50为(5耀50)美商网
伊10-6,PH 3气体的半数致死浓度LC-50为(11耀50)伊10-6,
这就意味着即使该气体轻微泄漏,一旦被人吸入即可致命;另外,进入反应室的气体一般为
99.9999%

本文发布于:2024-09-21 05:32:38,感谢您对本站的认可!

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