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一种薄膜铌酸锂可调高线性电光调制器集成芯片[发明专利]

专利名称：一种薄膜铌酸锂可调高线性电光调制器集成芯片专利类型：发明专利

发明人：张彤，秦妍妍，张晓阳

申请号：CN202111389369.2

申请日：20211122

胶带机公开号：CN114153085A

公开日：

精密合金

电子纸20220308

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种薄膜铌酸锂可调高线性电光调制器集成芯片，自下而上包括衬底层、掩埋氧化层、电光调制器件层和上包层；电光调制器件层由左至右依次包括输入光波导、输入分光耦合器、超线性调制区、马赫增德尔相位调制区、输出合路耦合器和输出光波导。超线性调制区由一个或多个顺次连接的薄膜铌酸锂脊形光波导可调谐振腔构成，可位于一条或两条调制臂上，在谐振腔内的光波导两侧放置有可调节谐振腔工作状态的第二信号电极和第三地电极。通过调节谐振腔的尺寸及加载在谐振腔波导两侧电极上的信号大小调整谐振腔的工作点，消除器件整体的三阶非线性，从而实现具有高线性度的电光调制器集成芯片。

申请人：东南大学

地址：211102 江苏省南京市江宁区东南大学路2号

47vcd

国籍：CN

代理机构：南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)

代理人：孙建朋

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本文发布于:2024-09-22 10:03:37，感谢您对本站的认可！

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