LC串联谐振电路重要特性

LC串联谐振电路重要特性
发布时间:2011-9-15 9:32:10 访问次数:3888
    LC串联谐振电路是LC谐振电路中的另一种谐振电路。图4-59所示是LC串联谐振电路。电路中的Rl是线圈Ll的直流电阻,也是这一LC串联谐振电路的阻尼电阻,电阻器是一个耗能元件,它在这里要消耗谐振信号的能量。Ll与Cl串联后再与信号源Us相并联,这里的信号源是一个恒压源。  W04MB0
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    在LC串联谐振电路中,电阻Rl的阻值越小,对谐振信号的能量消耗越小,谐振电路的品质也越好,电路的Q值也越高;当电路中的电感Ll越大,存储的磁能越多,在电路损耗一定时谐振电路的品质也越好,电路的Q值也越高。
    电路中,信号源与LC串联谐振电路之间不存在能量间的相互转换,只是电容Cl和电感Ll之间存在电能和磁能之间的相互转换。外加的输入信号只是补充由于电阻Rl消耗电能而损耗的信号能量。
    LC串联谐振电路的谐振频率计算公式与并联谐振电路一样。
  1.LC串联电路阻抗特性   
    图4-60所示是LC串联谐振电路阻抗特性曲线。
               
    阻抗特性分析要将输入信号频率分成多种情况进行。
    (1)输入信号频率等于谐振频率fo。当输入信号频率等于LC串联谐振电路的谐振频率fo时,电路发生串联谐振,串联谐振时电路的阻抗最小且为纯阻性(不为容性也不为感性),如图4-61所示,其值为R1(纯阻性)。
                     
    当信导频率偏离LC谐振电路的谐振频率时,电路的阻抗要增大,且频率偏离的量越大,电路的阻抗就越大,这一点恰好是与LC并联谐振电路相反的。
    要记住:串联谐振时电路的阻抗最小。
    (2)输入信号频率高于谐振频率fo。当输入信号频率高于谐振频率时,LC串联谐振电路为感性,相当于一个电感(电感量大小不等于L1),如图4-62所示。
                 
    这一点可以这样理解:在Ll和Cl串联电路中,当信号频率高于谐振频率之后,由于频率升高,Cl的容抗减小,而Ll的感抗却增大,在串联电路中起主要作用的是阻抗大的一个元件,’这样Ll起主要作用,因此在输入信号频率高于谐振频率之后,LC串联谐振电路等效于一个电感。
  (3)输入信号频率低于谐振频率五。当输入信号频率低于谐振频率时,LC串联谐振电路为容性,相当于一个电容(容量大小不等于C1),如图4-63所示。
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    这一点可以这样理解:当信号频率低于谐振频率之后,由于频率降低,Cl的容抗增大,而Ll的感抗却减小,这样在串联电路中起主要作用的是电容Cl,因此在输入信号频率低于谐振频率时,LC串联谐振电路等效于一个电容。
    2.品质因数Q
    图4-64所示是LC串联谐振电路阻抗与Q值之间关系的示意图。图中三条阻抗曲线中,Qi曲线的品质因数最大,Q2曲线其次,Q3曲线最小,Q值越大曲线越尖锐,谐振时的电路阻抗越小,流过串联谐振电路的信号电流越大。
                   
    LC串联谐振电路的频带特性与并联谐振电路是一样的,也是谐振电路的Q值越大,频带越窄,反之则越宽。
锁相环CC4046为数字PLL,内有两个PD、VCO、缓冲放大器、输入信号放大与整形电路、内部稳压器等。它具有电源电压范围宽、功耗低、输入阻抗高等优点,其工作频率达1MHz,内部VCO 产生50% 占空比的方波,输出电平可与TTL电平或CMOS 电平兼容。同时,它还具有相位锁定状态指示功能。
信号输入端:允许输入0.1V左右的小信号或方波,经A1放大和整形,提供满足PD要求的方波。 PDI由异或门构成,具有三角形鉴相特性。它要求两个输入信号均为50%占空比的
方波。当无输入信号时,其输出电压为VDD/2,用以确定VCO的自由振荡频率PDI由异或门构成,具有三角形鉴相特性。它要求两个输入信号均为50%占空比的方波。当无输入信号时,其输出电压为VDD/2,用以确定VCO的自由振荡频率。通常输入信噪比以及固有频差较小时采用PDI,输入信噪比较高或固有频差较大时,采用PDⅡ 。R1 、R2、C确定VCO 频率范围。R1控制最高频率,R2控制最低频率。 R2=∞时,最低频率为零。无输入信号时, PDⅡ 将VCO调整到最低频率。
锁相环CD4046的一个重要功能是:内部压迫、控振荡器的输出信号从第4脚输出后引至第3脚输入,与从第14脚输入的外部基准频率信号和相位的比较。当两者频率相同时同,压控振荡器的频率能自动调整,直到与基准频率相同。
电炉配料
CD4046引脚图
Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值:
DC Supply Voltage 直流供电电压 (VDD)  −0.5 to +18 VDC 
Input Voltage输入电压 (VIN)  −0.5 to VDD +0.5 VDC 
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Storage Temperature Range储存温度范围 (TS)  −65 to +150 
Power Dissipation功耗 (PD) 
Dual-In-Line 普通双列封装  700 mW 
Small Outline 小外形封装  500 mW 
焊接温度(TL)(焊接10秒)  260℃ 
Recommended Operating Conditions 建议操作条件:DC Supply Voltage 直流供电电压 (VDD)  3 to 15 VDC 
Input Voltage输入电压 (VIN)  0 to VDD VDC 
Operating Temperature Range工作温度范围 (TA)  −55 to +125 
引脚号 名  称  功  能
托尔斯泰的故事PH11 14 相位比较器输入端(基准信号输入 ),相位比较器输入信号,输入允许将0.1V左
右的小信号或方波信号在内部放大并再经过整形电路后,输出至相位比较器。
中国酒文化论文PH12 3 相位比较器输入端(比较信号输入) 通常PD来自VCO的参考信号。
PH01 2 PDⅠ输出端 相位比较器1输出的相位差信号,它采用异或门结构,即鉴相特性为 。
PH02 13 PDⅡ输出端 相位比较器Ⅱ的输出端,它采用,上升沿控制逻辑。

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标签:谐振   频率   电路
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