tft-lcd四角发黑mura的研究与改善

第35卷㊀第2期2020年2月㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀液晶与显示㊀㊀㊀C h i n e s e J o u r n a l o fL i q u i dC r y s t a l s a n dD i s p l a y s ㊀㊀㊀㊀㊀V o l .35㊀N o .2农行核心价值观
柯立芝繁荣
㊀F e b .2020㊀㊀收稿日期:2019G06G13;修订日期:2019G10G23.㊀㊀∗通信联系人,E Gm a i l :c a o b i n b i n @b o e .c o m.c n 文章编号:1007G2780(2020)02G0122G06
分子动力学模拟
T F T GL C D 四角发黑M u r a 的研究与改善
操彬彬∗,刘幸一,陈㊀鹏,彭俊林,杨增乾,安㊀晖,
汪㊀弋,栗芳芳,陆相晚,刘增利,李恒滨
(合肥鑫晟光电科技有限公司,安徽合肥230001)
摘要:研究了一种长期T HO 信赖性过程中产生的四角发黑M u r a .由于该M u r a 在T F T 膜面可见,
本文重点模拟分析了T F T 侧在信赖性过程中电容的变化,确定了不良是存储电容(C s t )
变化引发的电学不良,其机理为水汽不断进入第二绝缘层(P V X 2),C s t 持续增大,进而造成了T F T
GL C D 像素充电电压和灰阶降低.通过降低沉积压强和提高S i /N 比,P V X 2膜层致密性和阻水性加强,模拟信赖性测试中电容的变化由19.6%降至0.5%,成功解决了该不良,避免了信赖性风险,提升了产品品质.
农夫山泉与京华时报关㊀键㊀词:M u r a ;信赖性;氮化硅;阻水;电容;灰阶中图分类号:T N 321+.5㊀㊀文献标识码:A㊀㊀d o i :10.3788/Y J Y X S 20203502.0122
R e s e a r c ha n d i m p
莱州地震r o v e m e n t o f d a r k c o r n e rM u r a i nT F T GL C D C A OB i n Gb i n ∗,L I U X i n g Gy i ,C H E NP e n g ,P E N GJ u n Gl i n ,Y A N GZ e n g Gq i a n ,A N H u i ,WA N G Y i ,L IF a n g Gf a n g ,L U X i a n g Gw a n ,L I UZ e n Gl i ,L IH e n g
Gb i n (H e f e iX i n s h e n g O p t o e l e c t r o n i c sT e c h n o l o g y C o .,L t d .,H e f
e i 230001,C h i n a )A b s t r a c t :T h ed a r kc o r n e rM u r a p r o d u c e d i n t h e l o n g Gt e r m p r o c e s so fT HOr e l i a b i l i t y i s s t u d i e d .B e Gc a u s e t h eM u r a i sv i s i b l eo nt h eT F T
f i l m s u r f a c e ,t h ec a p a c i t a n c ec h a n
g e i n T F Ts i d ed u r i n g t
h e p r o c e s s o f r e l i a b i l i t y i sm a i n l y s i m u l a t e d a n d a n a l y z e d ,a n d i t i s d e t e r m i n e d t h a t i t i s a k i n do f e l e c t r i Gc a l d e f e c t c a u s e d b y t h e c h a n g e o f C s t .T h em e c h a n i s mi s t h a tw a t e r c o n t i n u o u s l y e n t e r s i n t o t h e P V X 2f i l ma n d C s t i n c r e a s e s a t t h e s a m e t i m e s ,r e s u l t i n g i nt h e r e d u c t i o no f t h e c h a r g i n g v o l t a g ea n d g r a y s c a l e o fT F T GL C D p i x e l s .A f t e r i m p r o v i n g t h e c o m p a c t n e s s o fP V X 2f i l mb y d e c r e a s i n gp r e s s u r e a n d i n c r e a s i n g S i /Nr a t i o i nt h ed e p o s i t i o n p r o c e s s ,t h ec h a n g eo f c a p
a c i t a n c ed e c r e a s e s f r o m 19.6%t o 0 5%i n t h e s i m u l a t i o n r e l i a
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印第安人的墙
.K e y w o r d s :M u r a ;r e l i a b i l i t y ;S i N x ;w a t e r r e s i s t a n c e ;c a p a c i t a n c e ;g r e y

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