1、 极化会对晶体结构产生显著影响，可使键性由（ B ）过渡，最终使晶体结 构类型发生变化。 A:共价键向离子键 B:离子键向共价键
C:金届键向共价键 D:键金届向离子键
2、 离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（ B ）,离
子配位数（ ）0
A:增大，降低 B:减小，降低
C:减小，增大 D:增大，增大
3、 氯化钠具有面心立方结构，其晶胞分子数是（ C ）。
A: 5 B: 6
C: 4 D: 3
地方财政收入4、 NaCl单位晶胞中的 分子数”为4, Na+填充在Cl-所构成的（B ）空隙中。
A:全部四面体 B:全部八面体
C: 1/2四面体 D: 1/2八面体
5、 CsCl单位晶胞中的 分子数”为1, Cs+填充在Cl-所构成的（C ）空隙中。
A:全部四面体 B:全部八面体
C:全部立方体 D: 1/2八面体
6、MgO晶体届NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套。的面心立方 格子组成，其一个单位晶胞中有（ B ）个MgO分子。
A: 2 B: 4
C: 6 D: 8
7、萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积，F-填充了（ D ）。
A:八面体空隙的半数 国防科技信息中心B:四面体空隙的半数
C:全部八面体空隙 D:全部四面体空隙
8、 萤石晶体中Ca2+的配位数为8, F-配位数为（B ）。
A: 2 B:4
C: 6 D: 8
9三十六脚湖、 CsCl晶体中Cs+的配位数为8, Cl-的配位数为（ D ）。
A: 2 B:4
C: 6 D: 8
10、 硅酸盐晶体的分类原则是（B ）。
A:正负离子的个数B:结构中的硅氧比
C:化学组成 D:离子半径
11、 皓英石 Zr[SiO4]是（ A ）。
A:岛状结构 B:层状结构
C:链状结构 D:架状结构
12、 硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+avr单片机最小系统M代，这种现象称为（ C ）。
A:同质多晶 B:有序一无序转变
C:同晶置换 D:马氏体转变
13、 镁橄榄石 Mg2[SiO4]是（ A ）。
A:岛状结构 B:层状结构
C:链状结构 D:架状结构
14、 对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺序
为（A ）。
A:沸石〉萤石＞MgO B:沸石＞MgO＞萤石
C:萤石〉沸石＞MgO D:萤石＞MgO＞沸石
15、根据鲍林爱情不买单 丁酉酉（Pauling）规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价 阴离子的配位数为（B ）。
C: 6
16、构成硅酸盐晶体的基本结构单元［SiO4］四面体，两个相邻的［SiO4］四面体之 间只能（A ）连接。
A:共顶 B:共面
C:共棱 D: A+B+C
光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下
D ）。
18、位错的（ A）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结 果导致空位或间隙原子的增值或减少。 A:攀移 B:攀移
C:增值 D:西游记金蝉脱壳减少
19、 对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时， 该位置带有负 电荷，为了保持电中性，会产生（ D ）。 A:负离子空位 B:间隙正离子
C:间隙负离子 D: A或B
20、 对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时， 该位置带有正 电荷，为了保持电中性，会产生（ D ）。
A:正离子空位 B:间隙负离子
C:负离子空位 D: A或B
21、 形成固溶体后对晶体的性质将产生影响，主要表现为（D ）。
A:稳定晶格 B:活化晶格
C:固溶强化 D: A+B+C
22、 固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变， 但点阵畸 变，性能变化。固溶体有有限和无限之分，其中（ B ）。
A:结构相同是无限固溶的充要条件
B:结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件
C:结构相同是有限固溶的必要条件
D:结构相同不是形成固溶体的条件
23、 缺陷对晶体的性能有重要影响，常见的缺陷为（ D ）。
A:点缺陷 B:线缺陷
C:面缺陷 D: A+B+C
24、 按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（ D ）。
A:热缺陷 B:杂质缺陷
C:非化学计量缺陷 D: A+B+C
25、 晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是（ B ）。
A:线性增加 B:呈指数规律增加
C:无规律 D:线性减少
26、 间隙式固溶体亦称填隙式固溶体， 其溶质原子位于点阵的间隙中。 讨论形成
间隙型固溶体的条件须考虑（ D ）。
A:杂质质点大小 B:晶体（基质）结构
C:电价因素 D: A+B+C
27、 位错的滑移是指位错在（A ）作用下，在滑移面上的运动，结果导致永 久形变。
A:外力 B:热应力
C:化学力 D:结构应力
28、 柏格斯矢量（Burgers \ector）与位错线垂直的位错称为（A ）,其符号表
示为（ ）。
A:刃位错；± B:刃位错；VX C:螺位错； D:刃位错；
29、 热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点 （原 子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottky defect）时，（B ）。
A:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小
B:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
C:正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
D:正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
30、 热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点 （原 子或离子）。生成弗仑克尔缺陷（Frenkel defect）时，（A ）。
A:间隙和空位质点同时成对出现
B:正离子空位和负离子空位同时成对出现
C:正离子间隙和负离子间隙同时成对出现
D:正离子间隙和位错同时成对出现
31、 位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（ C）。
A:位错不一定是直线 B:位错是已滑移区和未滑移区的边界
C:位错可以中断于晶体内部 D:位错不能中断于晶体内部
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
关于我们
投诉建议