氧化镓-二维P型范德华隧穿晶体管、双波段光电探测器件及制备方法[发明专利]

专利名称:氧化镓-二维P型范德华隧穿晶体管、双波段光电探测器件及制备方法
ap1000核电专利类型:发明专利
发明人:王湛,刘朋源,孙静,关云鹤,刘翔泰,陆琴,王少青,贾一凡,陈海峰,马晓华
申请号:CN202111209155.2
申请日:20211018舌推是什么意思
公开号:CN113972262A
公开日:
20220125
专利内容由知识产权出版社提供
文登疫情摘要:本发明具体涉及氧化镓‑二维P型范德华隧穿晶体管、双波段光电探测器件及制备方法,解决现有UWBG材料晶体管/光电探测器件制备中因Ga2O3缺少P型掺杂、无法同时实现隧穿晶体管和栅压调制的PN结深紫外‑红外双波段探测的技术问题。该晶体管及光电探测器件包括背栅电极、介质氧化层、氧化镓层和形成欧姆接触的氧化镓电极、P型二维材料层和形成欧姆接触的P型二维材料电极、介质钝化层;氧化镓层与P型二维材料层部分交叠形成异质结;氧化镓层为非故意掺杂或掺杂的Ga2O3准二维晶体薄膜;P型二维材料层为黑磷或β相碲单质或2H相二碲化钼或二硒化钨或二硒化铂薄膜。此外,本发明还提出上述晶体管、双波段光电探测器件的制备方法。
申请人:西安邮电大学
地址:710121 陕西省西安市长安区韦郭路西安邮电大学
国籍:CN
代理机构:西安智邦专利商标代理有限公司
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本文发布于:2024-09-21 11:09:28,感谢您对本站的认可!

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