1.调速原理及机械特性
电磁转差离合器是一个鼠龙式异步电动机与负载之间的互相连接的电器设备如图5.35（a）所示，电磁转差离合器主要由电枢和磁极两个旋转部分组成，电枢部分与三相异步电动机相连，是主动部分电枢部分相当于由无穷多单元 (a) 结构图 (b) 原理图
图5.35 电磁转差离合器
导体组成的鼠笼转子，其中流过的涡流类似于鼠笼式的电流。磁极部分与负载联接是从动部分，磁极上励磁绕组通过滑环，电刷与整流装置连接，由整流装置提供励磁电流。电枢通常可以装鼠笼式绕组，也可以是整块铸钢。电枢与磁极之间有一个很小的气隙约0.5mm。电磁转差离合器的工作原理与异步电动机的相似。当异步电动机运行时，电枢部分随异步电动机的转子同速旋转，转速为 ，转向设为逆时针方向。若磁极部分的励磁绕组通入的励磁电流 时，磁极的磁场为零，电枢与磁极二者之间既无电的联系又无磁的联系，无电磁转矩产生，磁极及关联的负载是不会转动的，这时负载相当于与电机“离开”。若磁极部分的励磁绕组通入的励磁电流 时，磁极部分则产生磁场，磁极与电枢二者之间就有了磁的联系。由于电枢与磁极之间有相对运动，电枢鼠笼式导体要适应电动势并产生电流，用右手法则可判定适应电流的方向如图5.35（b）所示。电枢载流导体受磁极的磁场作用产生作用于电枢上的电磁力 和电磁转矩 ，用左手定则可以判定 的方向与电枢的旋转方向相反，是制动转矩，它与作用在电枢上的输入转矩 相平衡。而磁极部分则受到与电枢部分大小相等的，方向相反的电磁转矩，也就是逆时针方向的电磁转矩 。在它的作用下，磁极部分的负载跟随电枢转动，转速为饱和潜水
，此时负载相当于被“合上”，而且负载转速 始终小于电动机转速 ,即电枢与磁极之间一定要有转差 。这种基于电磁适应原理，使电枢与磁极之间产生转差的设备称为电磁转差离合器。 由于异步电动机的固有机械特性较硬，可以认为电枢的转速 是恒定不变的，而磁极的转速 取决与磁极绕组的电流 的大小。只要改变磁极电流 的大小，就可以改变磁场的强弱，则磁极和负载转速 就不同，从而达到调速的目的。
电磁转差离合器改变励磁电流时的机械特性如图5.36所示。
图5.36 电磁转差离合器的机械特性
2.调速方法的特点和性能
其特点和性能为：
1哥特式电影）电磁转差离合器设备简单，控制方便，可平滑调速；
2）电磁转差离合器的机械特性较软，转速稳定性较差，调速范围较低。采用下述闭环控制系统的调速范围一般可达到10:1；
电机机械特性的软、硬就是指转速随转矩变化的大小
3）电磁转差离合器与三相鼠笼式异步电动机装成一体，即同一个机壳时，称为滑差电机或电磁调速异步电动机；
4）低速时转动功率损耗较大，效率较低。
3.调速方法的改进
为了提高机械特性的硬度，扩大调速范围，和降低调速方法一样。工程上常采用转速负反馈闭环调速系统。如图5.37所示。其特性曲线的分析类似转速负反馈降压调速闭环控制系统。
这种调速方法广泛用于纺织、造纸、烟草等机械上以及具有泵类负载特性的设备上。
图5.37 电磁转差离合器闭环控制系统
调速器部分：
(I） 单结晶体管介绍
（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极首次公开发行股票并在创业板上市管理暂行办法b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电呼如图1所示。
一、单结晶体管的特性
从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻：
rbb=rb1+rb2
式中：rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2迈好构建新发展格局第一步为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与ie无关；发射结是PN结，与二极管等效。
若在两面三刀基极b2、b1间加上正电压Vbb，则A点电压为：
VA=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηVbb
式中：η----称为分压比，其值一般在0.3---0.85之间，如果发射极电压VE由零逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性，见图2
图2、单结晶体管的伏安特性
（1）当Ve＜η Vbb时，发射结处于反向偏置，管子截止，发射极只有很小的漏电流Iceo。
（2）当Ve≥η Vbb+VD VD为二极管正向压降（约为0.7伏），PN结正向导通，Ie显著增加，gmdrb1阻值迅速减小，Ve相应下降，这种电压随电流增加反而下降的特性，称为负阻特性。管子由截止区进入负阻区的临界P称为峰点，与其对就的发射极电压和电流，分别称为峰点电压Vp和峰点电流Ip和峰点电流Ip。Ip是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需的最小电流，显然Vp=ηVbb
（3）随着发射极电流ie不断上升，Ve不断下降，降到V点后，Ve不在降了，这点V称为谷点，与其对应的发射极电压和电流，称为谷点电压，Vv和谷点电流Iv。
（4）过了V点后，发射极与第一基极间半导体内的载流子达到了饱和状态，所以uc继续增加时，ie便缓慢地上升，显然Vv是维持单结晶体管导通的最小发射极电压，如果Ve＜Vv，
管子重新截止。
二、单结晶体管的主要参数
（1）基极间电阻Rbb 发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻，一般为2--10千欧，其数值随温度上升而增大。
（2）分压比η 由管子内部结构决定的常数，一般为0.3--0.85。
（3）eb1间反向电压Vcb1 b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。
（4）反向电流Ieo b1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。ess
（5）发射极饱和压降Veo 在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。
（6）峰点电流Ip 单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流
（II）单结晶体管（双基极二极管）的测量
单结晶体管又叫双基极二极管，它的符号和外形见附图。
判断单结晶体管发射极E的方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。
单结晶体管B1和B2的判断方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是B1极。
应当说明的是，上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子
的E--B1间的正向电阻值较小。不过准确地判断哪极是B1，哪极是B2在实际使用中并不特别重要。即使B1、B2用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲的幅度（单结晶体管多作脉冲发生器使用），当发现输出的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的B1、B2对调过来就可以了。
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