1、集成电路版图设计师共设4个等级，分别是版图设计员、助理版图设计师、版图设计师_、_高级版图设计师_。
2、元素周期表中一些元素（如硅储）的电学特性介于金属与非金属之间，叫_半导体__。
3、标准双极工艺基区方块电阻的典型范围为_100~200Q/口__。 流行音乐论坛
4、发射区电阻必须置于适合的隔离岛中，通常的做法是发射区电阻制作在基区扩散内，基区扩散又制作在一个_N阱__内。 5、在零偏压下，这种电容能提供较大的单位面积电容（典型值为0.8fF/um2），但这种电容会随着反偏电压的增大而逐渐__减小_。 6、使用高介电常数的电介质，利用相对较小的区域制作大电容器。
7、结电容通常作在隔离岛内，隔离岛必须制作接触以确保集电结反偏，该接触也是的集电结和发射结并联，从而增大了总电容。
8、品质因数的一般性原则寄生效应越小，Q越大。
9、集电极开路时发射结击穿电压表示为VEBO。对于标准双极型工艺制造的NPN晶体管，VEBO大约_7V_左右。 10、当NPN晶体管的发射结和集电结都处于正偏时就会进入饱和工作状态。商业地产运营模式
10、当NPN晶体管的发射结和集电结都处于正偏时就会进入__饱和工作_状态。
11、发射结齐纳二极管的发射区通常为圆形或椭圆形。采用圆形是为了防止发射区拐角处的电场增强。
12、使用N型外延层，必须加入深的轻掺杂P型扩散区用于制作_NMOS晶体管。
13、MOS晶体管是4端器件。
14、器件的几何图形加工精确的介质物理学对图像的大小和_层次15、集成电路版图设计步骤：线路图、版图、_DRC、_LVS
16、LayOut的含义是指：版图
17、集成电阻通常由扩散或者沉淀层形成，通常可以用厚层一定的薄膜作为模型，因此习惯上把电阻率和厚度合成一个单位，称为方块电阻。
18、由于其较小的方块电阻，发射区是唯一适合于制作较小电阻（0.5~100Ω）的区域。对于发射区电子可以忽略电压调制和电导调制效应。
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19、在模拟BICMOS工艺中，发射区电阻可以直接置入P型外延层内。
20、电容的标准单位为法拉。
21、_多晶硅栅__可以用作多晶硅-多晶硅电容的下电极。
呈味核苷酸>迎新春舞曲22、单位面积电容与相对介电常数（电介常熟）成正比_关系23、流过导体的电流会在导体周围产生磁场。独享体罚之秘密
24、发射结和集电结的击穿决定了一个双极型晶体管的_最大工作电压_。
25、发射极开路时集电极的击穿电压表示为VCBO，绝大多数晶体管的集电区和基区都是_轻掺杂
_的。
26、二极管连接形式的晶体管可以作为一个很方便的基准电压源。
27、使用P型外延层，必须加入深的轻掺杂N型扩散区用于制作PMOS晶体管。
28、MOS晶体管是一种电压控制器件
29、根据版图设计规则中的_poly__器件的最少沟道长度。
30、电路图与布局结果对比是__LVS_。
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