GSM恒包络调制，PA工作于饱和区，那APC通过控制什么来实现不同功率等级功率的输出，应该不是控制偏置电压吧，是通过控制PA的GAIN吗？那么多功率等级，控制GAIN是不是不太容易呀？ 输入功率一般是二三个dbm，但是对于DCS 十五功率等级来说，那PA不是相当于衰减了吗，怎么实现的呀？
GSMPA工作在饱和状态，可能有人会有疑问，为什么还能调整功率级？其实在MOS管之前，还有一个放大器作为比较器还是用，一个输入的是Vramp一个输入的是从MOS管最末级反馈的电压信号，这样来调整功率，不管压控，流控，还是直接功率检测，都要转换成跟Vramp比较的电压，gook2009真好学啊，呵呵
其实工作在饱和区的PA才容易调增益，反而线性区的PAusb存储设备
没那么容易调。说的简单点，PA的增益是指输出功率和输入功率只差，可是是正值也可以是负值，你记得在饱和区或是深度饱和区的放大器有个导通角的概念吗，如果导通角接近于0度，那么PA的增益是负无穷大dB，如果导通角是180度，其增益会升至线性区的gain，一般的PA在正20到30dB左右，所以只需要改变导通角就可以得到很大范围的增益控制，这就是为么在PA input power不变的情况下， GSM PA的最低PCL盐酸储罐功率小于PA input，而最高的PCL功率又远大于PA input。 如果要问如何改变导通角，翻翻书就知道了导通角和集电极偏压的关系。而集电极偏压和金鱼俱乐部Vramp的关系就如同3楼所说，采用比较器或是运算放大器把Vramp和Vbias合成为一个电压偏置到集电极上即可，这样以来，Vbias（通常是由Vbat转化而来）不变，Vramp变，那么运放出来的集电极偏压就会改变，从而导通角也会改变。自贡师专
导通角和Vramp的关系是通过校准Tx sweep中有扫Vapc和小康网络大学
Tx power的关系得出。（高通平台是PDM和Tx power的关系） 九天特训营
先写到这里吧，希望能对楼主有所帮助。
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