GaN器件使用注意—GaN技术文档总结

利益相关者理论GaN器件使⽤注意—GaN技术⽂档总结

⽬录

促进剂ns⼀、GaN器件概述

1、⼯作原理类似于MOSFET，在栅极和源极之间电压超过开启电压的时候，加正压电流正向流动，加反压电流发现流动。若栅极和源极之间电压⼩于开启电压，加正压⽆正向电流，加反压有反向电流但反向压降较⼤（实验测量GS66508B有驱动时反向压降为500mV，⽆驱动电压时⼤于1V）；⽐MOS开关速度更快；⽆体⼆极管

火烧赤壁缩写

2、寄⽣参数模型

可以通过改变RG控制开关速度；典型值为1.5V；最⼤额定值为-20/+10V；

3、器件对⽐

4、反向导通特性

5、没有反向恢复

⼆、器件的热设计

1、温度越⾼导通电阻越⼤，所以需要控制温度来降低损耗

2、顶部散热设计：散热材料选择——散热安装——散热绝缘

3、底部散热设计：

a、选择是否利⽤铝基板（热阻可降低五倍，但是只能单层板，且有寄⽣电感和电容）

融资铜

b、不采⽤铝基板，散热通孔设计：直径为0.3mm，外圈为0.64mm，不填充通孔；⼀般⼀个GaN器件

需要64个以上的散热孔

c、采⽤铝基板

4、不同芯⽚的热租不同；需要⼤功率的可考虑器件并联

5、可以利⽤spice来仿真温度变化过程

三、GaN器件的测量注意

1、由于开关速度⾼，测量⽅法不对会引⼊寄⽣参数

舌尖上的地沟油

2、⽰波器应该按照下图来使⽤，避免长线⼲扰造成振铃和过冲

2、电流测量⽅法

3、测量系统的带宽⼀定要⾜够

六、GaN的spice模型使⽤

1、GaN System提供了LTspice和Pspice模型，L3等级的模型可以进⾏热仿真。在进⾏热仿真的时候，只需要测量T1端的电压即可得到温度。对于GS66508B的仿真模型来说，TC连接电压源可设置仿真温度，TJ测量可以得到芯⽚温度

2、导⼊Pspice模型到cadence中：

3、Pspice仿真设置：为了更好的收敛，修改VNTOL到10uV，修改ABSTOL到1.0nA，步骤如下：闰土的立方时空

本文发布于:2024-09-21 01:21:53，感谢您对本站的认可！

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